微波處理系統中之電漿調整桿

专利摘要:
本發明提供複數電漿調整桿次系統。該電漿調整桿次系統可包含一個以上微波腔，其建構成藉由在電漿之內和/或鄰近電漿處於一個以上電漿調整桿產生共振微波能量，將電磁(EM)能量在所欲的電磁波模態下耦合至電漿。一個以上微波腔組件可連結至製程腔室，且可包含一個以上調整空間/腔。調整空間/腔每一者可具有一個以上與其連結之電漿調整桿。該等電漿調整桿其中若干可建構成將EM能量自一個以上共振腔耦合至製程腔室之內的製程空間，且藉此在該製程空間之內產生均勻電漿。
公开号:TW201322331A
申请号:TW101135638
申请日:2012-09-27
公开日:2013-06-01
发明作者:jian-ping Zhao；Lee Chen；Merritt Funk；Toshihiko Iwao；Peter Lg Ventzek
申请人:Tokyo Electron Ltd；
IPC主号:H01J37-00

专利说明:
微波處理系統中之電漿調整桿【交叉參考之相關申請案】
本申請案係關於同時待審理之美國專利申請案第13/XXX,XXX號，其名稱為“Plasma-Tuning Rods in Surface Wave Antenna(SWA)Sources”，與本案於同日提出申請。本申請案係關於同時待審理之美國專利申請案第13/XXX,XXX號，其名稱為“Plasma Tuning Rods in Microwave Resonator Plasma Sources”，與本案於同日提出申請。這些申請案每一者的內容藉由參照全體納入作為本案揭示內容的一部分。
本發明係關於基板/晶圓處理，且更特別是關於用於處理基板和/或半導體晶圓的微波處理系統和方法
典型上，在半導體處理期間，利用(乾式)電漿蝕刻製程，沿著圖案化於半導體基板上的細線或於介層窗或接觸窗之內將材料加以移除或蝕刻。電漿蝕刻製程一般包含將具有上覆圖案化保護層(例如光阻層)之半導體基板置入一製程腔室。
一旦將基板放置於該腔室之內，一可離子化解離氣體混合物以一預先指定的流速導入該腔室之內，而此時真空泵被調節以達到周圍製程壓力。之後，當所存在的一部分氣體物種在與高能電子碰撞之後被離子化之時，將電漿形成。此外，經加熱的電子係用以將若干混合氣體物種解離，且產生適用於蝕刻暴露表面的反應物種。一旦電漿形成，藉由電漿蝕刻基板的任何暴露表面。將該製程調整以達到最佳的條件，包括所欲反應物和離子群體的適當濃度，以蝕刻基板的暴露區域中的各種特徵部(例如溝槽、介層窗、接觸窗等)。需要進行蝕刻處的基板材料包含例如二氧化矽(SiO₂)、多晶矽、及矽氮化物。
如以上所述，傳統上，已發展各種技術，將氣體激發為電漿，以在半導體元件製造期間處理基板。特別是，通常已將(「平行板」)電容耦合電漿(CCP)處理系統、或電感耦合電漿(ICP)處理系統運用於電漿激發。其他型態的電漿源則有微波電漿源(包含利用電子迴旋共振(ECR)者)、表面波電漿(SWP)源、及螺旋電漿源。
微波處理系統提供優於CCP系統、ICP系統、及共振加熱系統之改良的電漿處理效能(尤其於蝕刻製程方面)逐漸變成共識。微波處理系統在相對較低的波茲曼電子溫度(T_e)下產生高程度的離子化。此外，EM來源通常產生富含降低分子解離之電子激發分子物種的電漿。然而，微波處理系統的實際實施仍受限於若干缺陷，包含例如電漿穩定性和均勻性。
本發明係關於微波處理系統，且更特別是關於在微波處理系統中的穩定和/或均勻腔組件。
根據實施例，描述複數電漿調整桿次系統。該電漿調整桿次系統可包含一個以上微波腔，其建構成藉由在電漿之內和/或鄰近電漿處於一個以上電漿調整桿產生共振微波能量，將電磁(EM)能量在所欲的電磁波模態下耦合至電漿。一個以上微波腔組件可連結至製程腔室，且可包含一個以上調整空間/腔，且調整空間/腔每一者可具有一個以上與其連結之電漿調整桿。該等電漿調整桿其中若干可建構成將EM能量自一個以上共振腔耦合至製程腔室之內的製程空間，且藉此在該製程空間之內產生均勻電漿。
此處以各種實施例揭露一種微波處理系統。然而，熟習相關技藝者可了解，在不具一或多個特定細節，或者運用其他代替物和/或額外的方法、材料、或構件的情況下，仍可實行各種實施例。另一方面，此處不詳細顯示或描述眾所周知的結構、材料、或操作，以避免混淆本發明的各種實施例態樣。
類似地，為了說明的目的，描述特定數量、材料、及構造，以提供對本發明的完整理解。儘管如此，可在不具備該等特定細節下實施本發明。此外，應理解在圖示中顯示的各種實施例係例示圖形，且不需要依比例繪製。
在通篇說明書中，所提及「一個實施例」或「一實施例」或其變形係意指包含於本發明至少一個實施例中的相關於實施例加以描述的特定特徵、結構、材料、或特性，但並非意指其存在於每一個實施例。因此，在整個此說明書中各種地方所出現的例如「在一個實施例」或「在一實施例」用語，不必然意指本發明的相同實施例。此外，在一個以上實施例中可以任何適當方式將特定的特徵、結構、材料、或特性加以組合。
儘管如此，吾人應明白，儘管係解釋一般概念之發明本質，包含於敘述中之特徵亦為發明本質。
現在參照圖式，其中於數個圖示裡相似的參考符號表示相同或相對應的部件，圖1A-1C描述根據本發明實施例之第一微波處理系統的不同視圖。第一微波處理系統100可使用於電漿罩幕(plasma curtain)沉積系統或電漿輔助沉積系統。
圖1A顯示在第一微波處理系統100中製程腔室110的局部切開俯視圖。該俯視圖顯示形成該製程腔室110的第一介面組件、第二介面組件112b、及連結至第一介面組件112a和第二介面組件112b的複數額外的腔室壁112的x/y平面圖。舉例來說，腔室壁112可具有與其相關聯的壁厚度(t)，且該壁厚度(t)可變化於約1 mm到約5 mm。第一介面組件112a可具有與其相關聯的第一介面厚度(t_i1)，且該第一介面厚度(t_i1)可變化於約1 mm到約10 mm。第二介面組件112b可具有與其相關聯的第二介面厚度(t_i2)，且該第二介面厚度(t_i2)可變化於約1 mm到約10 mm。製程空間115可具有與其相關聯的長度(x_T)，且該長度(x_T)可變化於約10 mm到約500 mm。
該俯視圖顯示具有第一EM能量調整空間169a於其中的第一腔組件168a的切開視圖，且該第一腔組件168a可包含第一腔壁165a、第二腔壁166a、至少一個第三腔壁167a、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第一腔組件168a可利用第一腔壁165a連結至第一介面組件112a，並且壁(165a、166a、及167a)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_a)，而壁厚度(t_a)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第一EM能量調整空間169a可具有與其相關聯的第一長度(x_T1a)及第一寬度(y_1a)，第一長度(x_T1a)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第一寬度(y_1a)可變化於自約5 mm到約50 mm。
該俯視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間169b於其中的第二腔組件168b的切開視圖，且該第二腔組件168b可包含第一腔壁165b、第二腔壁166b、至少一個第三腔壁167b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件168b可利用第一腔壁165b連結至第二介面組件112b，並且壁(165b、166b、及167b)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_b)，而壁厚度(t_b)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第二EM能量調整空間169b可具有與其相關聯的第二長度(x_T1b)及第二寬度(y_1b)，第二長度(x_T1b)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第二寬度(y_1b)可變化於自約5 mm到約50 mm。
在若干例示系統中，一第一組隔離組件(164a、164b、164c、164d、及164e)可被可移除自如地連結至第一介面組件112a，且可建構成用以將製程空間115隔離於第一EM能量調整空間169a。該第一組隔離組件(164a、164b、164c、164d、及164e)可用以將第一組電漿調整桿{(170a、170b、170c、170d、及170e)和(175a、175b、175c、175d、及175e)}可移除自如地連結至第一介面組件112a。舉例而言，第一組電漿調整部(170a、170b、170c、170d、及170e)可配置於製程空間115之中，且第一組EM調整部(175a、175b、175c、175d、及175e)可配置於第一EM能量調整空間169a。
一第二組隔離組件(164f、164g、164h、164i、及164j)可被可移除自如地連結至第二介面組件112b，且可建構成用以將製程空間115隔離於第二EM能量調整空間169b。該第二組隔離組件(164f、164g、164h、164i、及164j)可用以將第二組電漿調整桿{(170f、170g、170h、170i、及170j)和(175f、175g、175h、175i、及175j)}可移除自如地連結至第二介面組件112b。舉例而言，第二組電漿調整部(170f、170g、170h、170i、及170j)可配置於製程空間115之中，且第二組EM調整部(175f、175g、175h、175i、及175j)可配置於第二EM能量調整空間169b之內。
仍然參考圖1A，第一電漿調整桿(170a,175a)可包含介電材料，可具有第一電漿調整部170a，其可於利用(x_2a)加以定義的第一位置延伸第一電漿調整距離171a進入製程空間115。舉例來說，第一電漿調整距離171a可變化於自約10 mm到約400 mm。
第一EM耦合區域162a可在建立於第一腔組件168a之中的第一EM能量調整空間169a之內於由第一腔壁165a之第一EM耦合距離176a處加以建立，並且第一EM調整部175a可延伸進入第一EM耦合區域162a。第一EM調整部175a可自第一EM耦合區域162a取得第一微波能量，且第一微波能量可利用第一電漿調整部170a於第一位置(x_2a)傳送至製程空間115。第一EM耦合區域162a可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第一EM耦合距離176a可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第一EM耦合距離176a可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第一電漿調整板161a可連結至第一控制組件160a，其可用以在第一EM能量調整空間169a之內將該第一電漿調整板161a相對於第一電漿調整桿(170a,175a)的第一EM調整部175a移動163a一第一EM調整距離177a。該第一控制組件160a和該第一電漿調整板161a可包含介電材料，且可用以將自第一EM耦合區域162a耦合至第一電漿調整桿(170a,175a)的第一EM調整部175a之微波能量予以最佳化。第一EM調整距離177a可建立於第一EM能量調整空間169a內之第一EM調整部175a和第一電漿調整板161a之間，且第一EM調整距離177a可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第一電漿調整桿(170a,175a)可具有與其相關聯的第一直徑(d_1a)，且第一直徑(d_1a)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一電漿調整板161a可具有與其相關聯的第一直徑(D_1a)，且第一直徑(D_1a)可變化於約1 mm到約10 mm。第一EM耦合區域162a、第一控制組件160a、及第一電漿調整板161a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(x_1a)，且第一x/y平面偏移(x_1a)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。舉例來說，第一控制組件160a可具有圓柱形構造、及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1a)。
第二電漿調整桿(170b,175b)可包含介電材料，且可具有第二電漿調整部170b，其於利用(x_1b)加以定義的第二位置延伸第二電漿調整距離171b進入製程空間115。舉例來說，第二電漿調整距離171b可變化於約10 mm到約400 mm。
第二EM耦合區域162b可在建立於第一腔組件168a之中的第一EM能量調整空間169a之內於由第一腔壁165a之第二EM耦合距離176b處加以建立，並且第二EM調整部175b可延伸進入第二EM耦合區域162b。第二EM調整部175b可自第二EM耦合區域162b取得第二微波能量，且第二微波能量可利用第二電漿調整部170b於第二位置(x_1b)傳送至製程空間115。第二EM耦合區域162b可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第二EM耦合距離176b可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第二EM耦合距離176b可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第二電漿調整板161b可連結至第二控制組件160b，其可用以在第一EM能量調整空間169a之內將該第二電漿調整板161b相對於第二電漿調整桿(170b,175b)的第二EM調整部175b移動163b一第二EM調整距離177b。該第二控制組件160b和該第二電漿調整板161b可用以將自第二EM耦合區域162b耦合至第二電漿調整桿(170b,175b)的第二EM調整部175b之微波能量予以最佳化。舉例來說，第二EM調整距離177b可建立於第一EM能量調整空間169a內之第二EM調整部175b和第二電漿調整板161b之間，且第二EM調整距離177b可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第二電漿調整桿(170b,175b)可具有與其相關聯的第二直徑(d_1b)，且第二直徑(d_1b)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二電漿調整板161b可包含介電材料，且可具有與其相關聯的第二直徑(D_1b)，且第二直徑(D_1b)可變化於約1 mm到約10 mm。第二EM耦合區域162b、第二控制組件160b、及第二電漿調整板161b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(x_1b)，且第二x/y平面偏移(x_1b)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。舉例來說，第二控制組件160b可包含介電材料，且可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1b)。
第三電漿調整桿(170c,175c)可包含介電材料，且可具有第三電漿調整部170c，其可於利用(x_2c)加以定義的第三位置延伸第三電漿調整距離171c進入製程空間115。舉例來說，第三電漿調整距離171c可變化於約10 mm到約400 mm。
第三EM耦合區域162c可在建立於第一腔組件168a之中的第一EM能量調整空間169a之內於由第一腔壁165a之第三EM耦合距離176c處加以建立，並且第三EM調整部175c可延伸進入第三EM耦合區域162c。第三EM調整部175c可自第三EM耦合區域162c取得第三微波能量，且第三微波能量可利用第三電漿調整部170c於第三位置(x_2c)傳送至製程空間115。第三EM耦合區域162c可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第三EM耦合距離176c可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第三EM耦合距離176c可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第三電漿調整板161c可連結至第三控制組件160c，其可用以在第一EM能量調整空間169a之內將該第三電漿調整板161c相對於第三電漿調整桿(170c,175c)的第三EM調整部175c移動163c一第三EM調整距離177c。該第三控制組件160c和該第三電漿調整板161c可用以將自第三EM耦合區域162c耦合至第三電漿調整桿(170c,175c)的第三EM調整部175c之微波能量予以最佳化。舉例來說，第三EM調整距離177c可建立於第一EM能量調整空間169a內之第三EM調整部175c和第三電漿調整板161c之間，且第三EM調整距離177c可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第三電漿調整桿(170c,175c)可具有與其相關聯的第三直徑(d_1c)，且第三直徑(d_1c)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第三電漿調整板161c可包含介電材料，且可具有與其相關聯的第三直徑(D_1c)，且第三直徑(D_1c)可變化於約1 mm到約10 mm。第三EM耦合區域162c、第三控制組件160c、及第三電漿調整板161c可具有與其相關聯的第三x/y平面偏移(x_1c)，且第三x/y平面偏移(x_1c)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。舉例來說，第三控制組件160c可包含介電材料，且可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1c)。
第四電漿調整桿(170d,175d)可包含介電材料，且可具有第四電漿調整部170d，其可於利用(x_2d)加以定義的第四位置延伸第四電漿調整距離171d進入製程空間115。舉例來說，第四電漿調整距離171d可變化於約10 mm到約400 mm。
第四EM耦合區域162d可在建立於第一腔組件168a之中的第一EM能量調整空間169a之內於自第一腔壁165a之第四EM耦合距離176d處加以建立，並且第四EM調整部175d可延伸進入第四EM耦合區域162d。第四EM調整部175d可自第四EM耦合區域162d取得第四微波能量，且第四微波能量可利用第四電漿調整部170d於第四位置(x_2d)傳送至製程空間115。第四EM耦合區域162d可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第四EM耦合距離176d可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第四EM耦合距離176d可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第四電漿調整板161d可連結至第四控制組件160d，其可用以在第一EM能量調整空間169a之內將該第四電漿調整板161d相對於第四電漿調整桿(170d,175d)的第四EM調整部175d移動163d一第四EM調整距離177d。該第四控制組件160d和該第四電漿調整板161d可用以將自第四EM耦合區域162d耦合至第四電漿調整桿(170d,175d)的第四EM調整部175d之微波能量予以最佳化。舉例來說，第四EM調整距離177d可建立於第一EM能量調整空間169a內之第四EM調整部175d和第四電漿調整板161d之間，且第四EM調整距離177d可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第四電漿調整桿(170d,175d)可具有與其相關聯的第四直徑(d_1d)，且第四直徑(d_1d)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第四電漿調整板161d可具有與其相關聯的第四直徑(D_1d)，且第四直徑(D_1d)可變化於約1 mm到約10 mm。第四EM耦合區域162d、第四控制組件160d、及第四電漿調整板161d可具有與其相關聯的第四x/y平面偏移(x_1d)，且第四x/y平面偏移(x_1d)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第四控制組件160d可包含介電材料，且可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1d)。
第五電漿調整桿(170e,175e)可包含介電材料，且可具有第五電漿調整部170e，其可於利用(x_2e)加以定義的第五位置延伸第五電漿調整距離171e進入製程空間115。舉例來說，第五電漿調整距離171e可變化於約10 mm到約400 mm。
第五EM耦合區域162e可在建立於第一腔組件168a之中的第一EM能量調整空間169a之內於由第一腔壁165a之第五EM耦合距離176e處加以建立，並且第五EM調整部175e可延伸進入第五EM耦合區域162e。第五EM調整部175e可自第五EM耦合區域162e取得第五微波能量，且第五微波能量可利用第五電漿調整部170e於第五位置(x_2e)傳送至製程空間115。第五EM耦合區域162e可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第五EM耦合距離176e可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第五EM耦合距離176e可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第五電漿調整板161e可包含介電材料，且可連結至第五控制組件160e，其可用以在第一EM能量調整空間169a之內將該第五電漿調整板161e相對於第五電漿調整桿(170e,175e)的第五EM調整部175e移動163e一第五EM調整距離177e。該第五控制組件160e和該第五電漿調整板161e可用以將自第五EM耦合區域162e耦合至第五電漿調整桿(170e,175e)的第五EM調整部175e之微波能量予以最佳化。舉例來說，第五EM調整距離177e可建立於第一EM能量調整空間169a內之第五EM調整部175e和第五電漿調整板161e之間，且第五EM調整距離177e可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第五電漿調整桿(170e,175e)可具有與其相關聯的第五直徑(d_1e)，且第五直徑(d_1e)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第五電漿調整板161e可具有與其相關聯的第五直徑(D_1e)，且第五直徑(D_1e)可變化於約1 mm到約10 mm。第五EM耦合區域162e、第五控制組件160e、及第五電漿調整板161e可具有與其相關聯的第五x/y平面偏移(x_1e)，且第五x/y平面偏移(x_1e)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第五控制組件160e可包含介電材料，且可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1e)。
繼續參照圖1A，第六電漿調整桿(170f,175f)可包含介電材料，且可具有第六電漿調整部170f，其可於利用(x_2f)加以定義的第六位置延伸第六電漿調整距離171f進入製程空間115。第六電漿調整距離171f可變化於約10 mm到約400 mm。
第六EM耦合區域162f可包含介電材料，且可在建立於第二腔組件168b之中的第二EM能量調整空間169b之內於由第一腔壁165b之第六EM耦合距離176f處加以建立，並且第六EM調整部175f可延伸進入第六EM耦合區域162f。第六EM調整部175f可自第六EM耦合區域162f取得第六微波能量，且第六微波能量可利用第六電漿調整部170f於第六位置(x_2f)傳送至製程空間115。第六EM耦合區域162f可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。第六EM耦合距離176f可變化於約0.01 mm到約10 mm，或者可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第六電漿調整板161f可包含介電材料，且可連結至第六控制組件160f，其可用以在第二EM能量調整空間169b之內將該第六電漿調整板161f相對於第六電漿調整桿(170f,175f)的第六EM調整部175f移動163f一第六EM調整距離177f。該第六控制組件160f和該第六電漿調整板161f可用以將自第六EM耦合區域162f耦合至第六電漿調整桿(170f,175f)的第六EM調整部175f之微波能量予以最佳化。舉例來說，第六EM調整距離177f可建立於第二EM能量調整空間169b內之第六EM調整部175f和第六電漿調整板161f之間，且第六EM調整距離177f可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第六電漿調整桿(170f,175f)可具有與其相關聯的第六直徑(d_1f)，且第六直徑(d_1f)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第六電漿調整板161f可具有與其相關聯的第六直徑(D_1f)，且第六直徑(D_1f)可變化於約1 mm到約10 mm。第六EM耦合區域162f、第六控制組件160f、及第六電漿調整板161f可具有與其相關聯的第六x/y平面偏移(x_1f)，且第六x/y平面偏移(x_1f)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第六控制組件160f可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1f)。
第七電漿調整桿(170g,175g)可包含介電材料，且可具有第七電漿調整部170g，其可於利用(x_2g)加以定義的第七位置延伸第七電漿調整距離171g進入製程空間115。第七電漿調整距離171g可變化於約10 mm到約400 mm。
第七EM耦合區域162g可在建立於第二腔組件168b之中的第二EM能量調整空間169b之內於由第一腔壁165b之第七EM耦合距離176g處加以建立，並且第七EM調整部175g可延伸進入第七EM耦合區域162g。第七EM調整部175g可自第七EM耦合區域162g取得第七微波能量，且第七微波能量可利用第七電漿調整部170g於第七位置(x_2g)傳送至製程空間115。第七EM耦合區域162g可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第七EM耦合距離176g可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第七EM耦合距離176g可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第七電漿調整板161g可包含介電材料，且可連結至第七控制組件160g，其可用以在第二EM能量調整空間169b之內將該第七電漿調整板161g相對於第七電漿調整桿(170g,175g)的第七EM調整部175g移動163g一第七EM調整距離177g。該第七控制組件160g和該第七電漿調整板161g可用以將自第七EM耦合區域162g耦合至第七電漿調整桿(170g,175g)的第七EM調整部175g之微波能量予以最佳化。舉例來說，第七EM調整距離177g可建立於第二EM能量調整空間169b內之第七EM調整部175g和第七電漿調整板161g之間，且第七EM調整距離177g可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第七電漿調整桿(170g,175g)可具有與其相關聯的第七直徑(d_1g)，且第七直徑(d_1g)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第七電漿調整板161g可具有與其相關聯的第七直徑(D_1g)，且第七直徑(D_1g)可變化於約1 mm到約10 mm。第七EM耦合區域162g、第七控制組件160g、及第七電漿調整板161g可具有與其相關聯的第七x/y平面偏移(x_1g)，且第七x/y平面偏移(x_1g)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。舉例來說，第七控制組件160g可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1g)。
第八電漿調整桿(170h,175h)可包含介電材料，且可具有第八電漿調整部170h，其可於利用(x_2h)加以定義的第八位置延伸第八電漿調整距離171h進入製程空間115。第八電漿調整距離171h可變化於約10 mm到約400 mm。
第八EM耦合區域162h可在建立於第二腔組件168b之中的第二EM能量調整空間169b之內於由第一腔壁165b之第八EM耦合距離176h處加以建立，並且第八EM調整部175h可延伸進入第八EM耦合區域162h。第八EM調整部175h可自第八EM耦合區域162h取得第八微波能量，且第八微波能量可利用第八電漿調整部170h於第八位置(x_2h)傳送至製程空間115。第八EM耦合區域162h可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第八EM耦合距離176h可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第八EM耦合距離176h可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第八電漿調整板161h可包含介電材料，且可連結至第八控制組件160h，其可用以在第二EM能量調整空間169b之內將該第八電漿調整板161h相對於第八電漿調整桿(170h,175h)的第八EM調整部175h移動163h一第八EM調整距離177h。該第八控制組件160h和該第八電漿調整板161h可用以將自第八EM耦合區域162h耦合至第八電漿調整桿(170h,175h)的第八EM調整部175h之微波能量予以最佳化。第八EM調整距離177h可建立於第二EM能量調整空間169b內之第八EM調整部175h和第八電漿調整板161h之間，且第八EM調整距離177h可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第八電漿調整桿(170h,175h)可具有與其相關聯的第八直徑(d_1h)，且第八直徑(d_1h)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第八電漿調整板161h可具有與其相關聯的第八直徑(D_1h)，且第八直徑(D_1h)可變化於約1 mm到約10 mm。第八EM耦合區域162h、第八控制組件160h、及第八電漿調整板161h可具有與其相關聯的第八x/y平面偏移(x_1h)，且第八x/y平面偏移(x_1h)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第八控制組件160h可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1h)。
第九電漿調整桿(170i,175i)可包含介電材料，且可具有第九電漿調整部170i，其可於利用(x_2i)加以定義的第九位置延伸第九電漿調整距離171i進入製程空間115。舉例來說，第九電漿調整距離171i可變化於約10 mm到約400 mm。
第九EM耦合區域162i可在建立於第二腔組件168b之中的第二EM能量調整空間169b之內於由第一腔壁165b之第九EM耦合距離176i處加以建立，並且第九EM調整部175i可延伸進入第九EM耦合區域162i。第九EM調整部175i可自第九EM耦合區域162i取得第九微波能量，且第九微波能量可利用第九電漿調整部170i於第九位置(x_2i)傳送至製程空間115。第九EM耦合區域162i可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第九EM耦合距離176i可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第九EM耦合距離176i可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第九電漿調整板161i可包含介電材料，且可連結至第九控制組件160i，其可用以在第二EM能量調整空間169b之內將該第九電漿調整板161i相對於第九電漿調整桿(170i,175i)的第九EM調整部175i移動163i一第九EM調整距離177i。該第九控制組件160i和該第九電漿調整板161i可用以將自第九EM耦合區域162i耦合至第九電漿調整桿(170i,175i)的第九EM調整部175i之微波能量予以最佳化。舉例來說，第九EM調整距離177i可建立於第二EM能量調整空間169b內之第九EM調整部175i和第九電漿調整板161i之間，且第九EM調整距離177i可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第九電漿調整桿(170i,175i)可具有與其相關聯的第九直徑(d_1i)，且第九直徑(d_1i)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第九電漿調整板161i可具有與其相關聯的第九直徑(D_1i)，且第九直徑(D_1i)可變化於約1 mm到約10 mm。第九EM耦合區域162i、第九控制組件160i、及第九電漿調整板161i可具有與其相關聯的第九x/y平面偏移(x_1i)，且第九x/y平面偏移(x_1i)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第九控制組件160i可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1i)。
第十電漿調整桿(170j,175j)可包含介電材料，且可具有第十電漿調整部170j，其可於利用(x_2j)加以定義的第十位置延伸第十電漿調整距離171j進入製程空間115。舉例來說，第十電漿調整距離171j可變化於約10 mm到約400 mm。
第十EM耦合區域162j可在建立於第二腔組件168b之中的第二EM能量調整空間169b之內於由第一腔壁165b之第十EM耦合距離176j處加以建立，並且第十EM調整部175j可延伸進入第十EM耦合區域162j。第十EM調整部175j可自第十EM耦合區域162j取得第十微波能量，且第十微波能量可利用第十電漿調整部170j於第十位置(x_2j)傳送至製程空間115。第十EM耦合區域162j可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第十EM耦合距離176j可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第十EM耦合距離176j可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第十電漿調整板161j可包含介電材料，且可連結至第十控制組件160j，其可用以在第二EM能量調整空間169b之內將該第十電漿調整板161j相對於第十電漿調整桿(170j,175j)的第十EM調整部175j移動163j一第十EM調整距離177j。該第十控制組件160j和該第十電漿調整板161j可用以將自第十EM耦合區域162j耦合至第十電漿調整桿(170j,175j)的第十EM調整部175j之微波能量予以最佳化。舉例來說，第十EM調整距離177j可建立於第二EM能量調整空間169b內之第十EM調整部175j和第十電漿調整板161j之間，且第十EM調整距離177j可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第十電漿調整桿(170j,175j)可具有與其相關聯的第十直徑(d_1j)，且第十直徑(d_1j)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第十電漿調整板161j可具有與其相關聯的第十直徑(D_1j)，且第十直徑(D_1j)可變化於約1 mm到約10 mm。第十EM耦合區域162j、第十控制組件160j、及第十電漿調整板161j可具有與其相關聯的第十x/y平面偏移(x_1j)，且第十x/y平面偏移(x_1j)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第十控制組件160j可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1j)。
第一微波處理系統100的俯視圖包含第一腔控制組件145a的俯視圖，其被顯示連結第一腔調整板146a的俯視圖。第一腔控制組件145a可具有與其相關聯的第一直徑(d_1aa)，且該第一直徑(d_1aa)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一腔調整板146a可具有與其相關聯的第二直徑(D_1aa)，且該第二直徑(D_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。第一腔控制組件145a和第一腔調整板146a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(y_1aa)，其可變化於約1 mm到約10 mm。
此外，第一微波處理系統100的俯視圖包含第二腔控制組件145b的俯視圖，其被顯示連結第二腔調整板146b的俯視圖。第二腔控制組件145b可具有與其相關聯的第一額外直徑(d_1ba)，且該第一額外直徑(d_1ba)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二腔調整板146b可具有與其相關聯的第二額外直徑(D_1ba)，且該第二額外直徑(D_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。第二腔控制組件145b和第二腔調整板146b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(y_1ba)，且第二x/y平面偏移(y_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
圖1B顯示在第一微波處理系統100中製程腔室110的局部切開前視圖。該前視圖顯示互相連結的複數額外的壁112的x/z平面視圖，藉此建立在製程腔室110之中的製程空間115的局部切開前視圖。第一微波處理系統100可建構成用以在製程空間115之中形成電漿。
該前視圖顯示具有第一EM能量調整空間169a於其中的第一腔組件168a的切開圖，且第一腔組件168a可包含第一腔壁165a、第二腔壁166a、至少一個第三腔壁167a、及一個以上的額外腔壁(未顯示)。舉例而言，第一腔組件168a可利用第一腔壁165a連結至第一介面組件112a。該前視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間169b於其中的第二腔組件168b的切開視圖，且該第二腔組件168b可包含第一腔壁165b、第二腔壁166b、至少一個第三腔壁167b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件168b可利用第一腔壁165b連結至第二介面組件112b。
在圖1B中顯示第一組電漿調整桿(170a-170e)的局部前視圖(虛線視圖)、第一組電漿調整板(161a-161e)的局部前視圖(虛線視圖)、第二組電漿調整桿(170f-170j)的局部前視圖(虛線視圖)、及第二組電漿調整板(161f-161j)的局部前視圖(虛線視圖)。
第一組電漿調整桿(170a-170e)與第一組電漿調整板(161a-161e)可具有與其相關聯的第一組x/y平面偏移(x_2a-e)，且該第一組x/y平面偏移(x_2a-e)可變化於約10 mm到約100 mm。第一組電漿調整桿(170a-170e)與第一組電漿調整板(161a-161e)可具有與其相關聯的第一組x/z平面偏移(z_1a-e)，且該第一組x/z平面偏移(z_1a-e)可變化於約100 mm到約400 mm。
第二組電漿調整桿(170f-170j)與第二組電漿調整板(161f-161j)可具有與其相關聯的第二組x/y平面偏移(x_2f-j)，且該第二組x/y平面偏移(x_2f-j)可變化於約10 mm到約100 mm。第二組電漿調整桿(170f-170j)與第二組電漿調整板(161f-161j)可具有與其相關聯的第二組x/z平面偏移(z_1f-j)，且該第二組x/z平面偏移(z_1f-j)可變化於約100 mm到約400 mm。
圖1B顯示第一微波處理系統100可包含連結至腔室壁112的一個以上電漿感測器106，以取得第一電漿資料。此外，第一微波處理系統100可建構成用以處理200 mm基板、300 mm基板、或更大尺寸的基板。此外，可配置正方形和/或矩形腔室，使得第一微波處理系統100可建構成用以處理正方形或矩形的基板、晶圓、或LCD，無論其為熟習此技藝者所知的何種尺寸。因此，雖然將就半導體基板的處理對本發明的實施態樣加以描述，但本發明係不僅限定於此。
如圖1B所示，第一EM來源150a可連結至第一腔組件168a，且第二EM來源150b可連結至第二腔組件168b。第一EM來源150a可連結至第一匹配網路152a，且第一匹配網路152a可耦合至第一耦合網路154a。第二EM來源150b可連結至第二匹配網路152b，且第二匹配網路152b可連結至第二耦合網路154b。或者是，可使用複數匹配網路(未顯示)或複數耦合網路(未顯示)。
第一耦合網路154a可被可移除自如地連結至第一腔組件168a，而第一腔組件168a可被可移除自如地連結至製程腔室110的第一介面組件112a的上部。第一耦合網路154a可用以在第一腔組件168a之中提供微波能量至第一EM能量調整空間169a。第二耦合網路154b可被可移除自如地連結至第二腔組件168b，而第二腔組件168b可被可移除自如地連結至製程腔室110的第二介面組件112b的上部。第二耦合網路154b可用以在第二腔組件168b之中提供額外的微波能量至第二EM能量調整空間169b。或者，可使用其他的EM耦合構造。
如圖1B所示，控制器195可連結196至EM來源(150a、150b)、匹配網路(152a、152b)、耦合網路(154a、154b)、及腔組件(168a、168b)，並且控制器195可利用製程配方以建立、控制、及最佳化EM來源(150a、150b)、匹配網路(152a、152b)、耦合網路(154a、154b)、及腔組件(168a、168b)，以控制在製程空間115之內的電漿均勻性。舉例而言，EM來源(150a、150b)可操作於從約500 MHz到約5000 MHz的頻率。此外，控制器195可連結196至電漿感測器106和製程感測器107，並且控制器195可利用製程配方來建立、控制、和最佳化來自電漿感測器106和製程感測器107的資料，以控制在製程空間115之內的電漿均勻性。
此外，控制器195可連結196至氣體供給系統140、氣體供給次組件141、及氣體噴淋頭143。舉例而言，氣體供給系統140、氣體供給次組件141、及氣體噴淋頭143可建構成用以將一種以上製程氣體導入製程空間115，且可包含流量控制和/或流量量測元件。
在乾式電漿蝕刻期間，製程氣體可包含蝕刻劑、鈍化劑(passivant)、或惰性氣體、或其二者以上的組合。舉例而言，當電漿蝕刻例如矽氧化物(SiO_x)或矽氮化物(Si_xN_y)之介電膜時，電漿蝕刻氣體成份通常包含氟碳基化學品(C_xF_y)，例如C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄等其中至少一者，且/或可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，且可具有惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者。此外，舉例來說，當蝕刻多晶矽之時，電漿蝕刻氣體成份一般包含含鹵素氣體，例如HBr、Cl₂、NF₃、或SF₆、或其二者以上組合，且可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，及惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者、或其二者以上。在電漿輔助沉積期間，製程氣體可包含膜形成前驅物、還原氣體、或惰性氣體、或其二者以上之組合。
如圖1B所示，第一微波處理系統100可包含壓力控制系統190及埠191，其連結至製程腔室110且建構成用以排空製程腔室110並控制製程腔室110之內的壓力。此外，第一微波處理系統100可包含用於處理基板105的一可移動的基板固持器120。
第一微波處理系統100的前視圖包含第一腔控制組件145a的局部前視圖，其被顯示連結至第一腔調整板146a的前視圖。第一腔控制組件145a和第一腔調整板146a可具有與其關聯的第一x/z平面偏移(z_1aa)，且該第一x/z平面偏移(z_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
第一腔控制組件145a可用以在第一EM能量調整空間169a之內移動147a第一腔調整板146a腔調整距離148a。控制器195可連結196至腔控制組件145a，且控制器195可使用製程配方來建立、控制、及最佳化腔調整距離148a，以即時控制和維持在製程空間115之內的電漿均勻性。舉例而言，腔調整距離148a可變化於約0.01 mm到約10 mm，且腔調整距離148a可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
此外，第一微波處理系統100的前視圖包含第二腔控制組件145b的局部前視圖，其被顯示連結至第二腔調整板146b的前視圖。第二腔控制組件145b和第二腔調整板146b可具有與其關聯的第二x/z平面偏移(z_1ba)，且該第二x/z平面偏移(z_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
第二腔控制組件145b可用以在第二EM能量調整空間169b之內移動147b第二腔調整板146b第二腔調整距離148b。控制器195可連結196至第二腔控制組件145b，且控制器195可使用製程配方來建立、控制、及最佳化第二腔調整距離148b，以即時控制和維持在製程空間115之內的電漿均勻性。舉例而言，第二腔調整距離148b可變化於約0.01 mm到約10 mm，且第二腔調整距離148b可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
圖1C顯示在第一微波處理系統100中製程腔室110的局部切開側視圖。該側視圖顯示連結至第一介面組件112a和第二介面組件112b的複數腔室壁112的y/z平面視圖，藉此建立在製程腔室110之中的製程空間115的局部切開y/z平面視圖。第一微波處理系統100可建構成用以在製程空間115之中形成均勻電漿。
在圖1C中顯示在第一腔組件168a中的第一EM能量調整空間169a的局部側視圖與在第二腔組件168b中的第二EM能量調整空間169b的局部側視圖。在圖1C中顯示第一組電漿調整桿(170a-170e)的局部側視圖、第一組電漿調整板(161a-161e)的局部側視圖、第二組電漿調整桿(170f-170j)的局部側視圖、及第二組電漿調整板(161f-161j)的局部側視圖。
在圖1C中亦顯示第一組隔離組件(164a、164b、164c、164d、及164e)與第二組隔離組件(164f、164g、164h、164i、及164j)。舉例來說，第一組隔離組件(164a、164b、164c、164d、及164e)可用以將第一組電漿調整桿{(170a、170b、170c、170d、及170e)和(175a、175b、175c、175d、及175e)}可移除自如地連結至第一介面組件112a。第一組隔離組件(164a、164b、164c、164d、及164e)每一者可被可移除自如地連結至第一介面組件112a。此外，第二組隔離組件(164f、164g、164h、164i、及164j)可用以將第二組電漿調整桿{(170f、170g、170h、170i、及170j)和(175f、175g、175h、175i、及175j)}可移除自如地連結至第二介面組件112b。第二組隔離組件(164f、164g、164h、164i、及164j)每一者可被可移除自如地連結至第二介面組件112b。
如圖1C所示，第一組電漿調整板(161a、161b、161c、161d、及161e)可連結至第一組控制組件(160a、160b、160c、160d、及160e)，且第一組控制組件(160a、160b、160c、160d、及160e)可用以在第一EM能量調整空間169a之內，將第一組電漿調整板(161a、161b、161c、161d、及161e)相對於EM調整部(175a、175b、175c、175d、及175e)移動(163a、163b、163c、163d、及163e)第一組EM調整距離(177a、177b、177c、177d、及177e)。此外，第二組電漿調整板(161f、161g、161h、161i、及161j)可連結至第二組控制組件(160f、160g、160h、160i、及160j)，且第二組控制組件(160f、160g、160h、160i、及160j)可用以在第二EM能量調整空間169b之內，將第二組電漿調整板(161f、161g、161h、161i、及161j)相對於EM調整部(175f、175g、175h、175i、及175j)移動(163f、163g、163h、163i、及163j)第二組EM調整距離(177f、177g、177h、177i、及177j)。
第一組控制組件(160a、160b、160c、160d、及160e)可連結196至控制器195，且控制器195可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第一組EM調整距離(177a、177b、177c、177d、及177e)，以控制在製程空間115之內的電漿均勻性。此外，第二組控制組件(160f、160g、160h、160i、及160j)可連結196至控制器195，且控制器195可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第二組EM調整距離(177f、177g、177h、177i、及177j)，以控制在製程空間115之內的電漿均勻性。
控制器195可連結196至EM來源(150a、150b)、匹配網路(152a、152b)、耦合網路(154a、154b)、及腔組件(168a、168b)，且控制器195可利用製程配方來建立、控制、及最佳化EM來源(150a、150b)、匹配網路(152a、152b)、耦合網路(154a、154b)、及腔組件(168a、168b)，以控制在製程空間115之內的電漿均勻性。舉例來說，EM來源(150a、150b)可操作於約500 MHz到約5000 MHz之頻率。此外，控制器195可連結196至電漿感測器106、製程感測器107、及腔感測器(108a及108b)，且控制器195可利用製程配方來建立、控制、及最佳化來自電漿感測器106、製程感測器107、及腔感測器(108a及108b)的資料，以控制在製程空間115之內的電漿均勻性。
該側視圖描述製程腔室110，其具有在y/z平面之與其相關聯的全寬(y_T)和全高(z_T)。該全寬(y_T)可變化於約50 mm到約500 mm，且該全高(z_T)可變化於約50 mm到約500 mm。
圖2A顯示在第二微波處理系統200中製程腔室210的局部切開俯視圖。該俯視圖顯示形成第二製程腔室210的第一介面組件212a、第二介面組件212b、及連結至第一介面組件212a和第二介面組件212b的複數額外的腔室壁212的x/y平面圖。舉例來說，腔室壁112可具有與其相關聯的壁厚度(t)，且該壁厚度(t)可變化於約1 mm到約5 mm。第一介面組件212a可具有與其相關聯的第一介面厚度(t_i1)，且該第一介面厚度(t_i1)可變化於約1 mm到約10 mm。第二介面組件212b可具有與其相關聯的第二介面厚度(t_i2)，且該第二介面厚度(t_i2)可變化於約1 mm到約10 mm。製程空間215可具有與其相關聯的長度(x_T)，且該長度(x_T)可變化於約10 mm到約500 mm。
第二微波處理系統200的俯視圖顯示具有第一EM能量調整空間269a於其中的第一腔組件268a的切開視圖，且該第一腔組件268a可包含第一腔壁265a、第二腔壁266a、至少一個第三腔壁267a、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第一腔組件268a可利用第一腔壁265a連結至第一介面組件212a，並且壁(265a、266a、及267a)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_a)，而壁厚度(t_a)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第一EM能量調整空間269a可具有與其相關聯的第一長度(x_T1a)及第一寬度(y_1a)，第一長度(x_T1a)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第一寬度(y_1a)可變化於自約5 mm到約50 mm。
第二微波處理系統200的俯視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間269b於其中的第二腔組件268b的切開視圖，且該第二腔組件268b可包含第一腔壁265b、第二腔壁266b、至少一個第三腔壁267b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件268b可利用第一腔壁265b連結至第二介面組件212b，並且壁(265b、266b、及267b)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_b)，而壁厚度(t_b)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第二EM能量調整空間269b可具有與其相關聯的第二長度(x_T1b)及第二寬度(y_1b)，第二長度(x_T1b)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第二寬度(y_1b)可變化於自約5 mm到約50 mm。
在若干例示系統中，可將一第一組隔離組件(264a、264b、264c、及264d)可移除自如地連結至第一介面組件212a，且可建構成用以將製程空間215隔離於第一EM能量調整空間269a。該第一組隔離組件(264a、264b、264c、及264d)可用以將第一組電漿調整桿{(270a、270b、270c、及270d)和(275a、275b、275c、及275d)}可移除自如地連結至第一介面組件212a。舉例而言，第一組電漿調整部(270a、270b、270c、及270d)可建構於製程空間215之中，且第一組EM調整部(275a、275b、275c、及275d)可建構於第一EM能量調整空間269a。
可將第二組隔離組件(264e、264f、264g、及264h)可移除自如地連結至第二介面組件212b，且可建構成用以將製程空間215隔離於第二EM能量調整空間269b。該第二組隔離組件(264e、264f、264g、及264h)可用以將第二組電漿調整桿{(270e、270f、270g、及270h)和(275e、275f、275g、及275h)}可移除自如地連結至第二介面組件212b。舉例而言，第二組電漿調整部(270e、270f、270g、及270h)可建構於製程空間215之中，且第二組EM調整部(275e、275f、275g、及275h)可建構於第二EM能量調整空間269b。
仍然參考圖2A，第一電漿調整桿(270a,275a)可包含介電材料，且可具有第一電漿調整部270a，其可於利用(x_2a)加以定義的第一位置延伸第一電漿調整距離271a進入製程空間215。第一電漿調整距離271a可變化於自約10 mm到約400 mm。
第一EM耦合區域262a可在建立於第一腔組件268a之中的第一EM能量調整空間269a之內於由第一腔壁265a之第一EM耦合距離276a處加以建立，並且第一EM調整部275a可延伸進入第一EM耦合區域262a。第一EM調整部275a可自第一EM耦合區域262a取得第一微波能量，且第一微波能量可利用第一電漿調整部270a於第一位置(x_2a)傳送至製程空間215。第一EM耦合區域262a可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第一EM耦合距離276a可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第一EM耦合距離276a可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第一電漿調整板261a可包含介電材料，可連結至第一控制組件260a，其可用以在第一EM能量調整空間269a之內將該第一電漿調整板261a相對於第一電漿調整桿(270a,275a)的第一EM調整部275a移動263a一第一EM調整距離277a。該第一控制組件260a和該第一電漿調整板261a可用以將自第一EM耦合區域262a耦合至第一電漿調整桿(270a,275a)的第一EM調整部275a之微波能量予以最佳化。舉例來說，第一EM調整距離277a可建立於第一EM能量調整空間269a內之第一EM調整部275a和第一電漿調整板261a之間，且第一EM調整距離277a可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第一電漿調整桿(270a,275a)可具有與其相關聯的第一直徑(d_1a)，且第一直徑(d_1a)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一電漿調整板261a可具有與其相關聯的第一直徑(D_1a)，且第一直徑(D_1a)可變化於約1 mm到約10 mm。第一EM耦合區域262a、第一控制組件260a、及第一電漿調整板261a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(x_1a)，且第一x/y平面偏移(x_1a)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第一控制組件260a可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1a)。
第二電漿調整桿(270b,275b)可包含介電材料，且可具有第二電漿調整部270b，其可於利用(x_2b)加以定義的第二位置延伸第二電漿調整距離271b進入製程空間215。舉例來說，第二電漿調整距離271b可變化於約10 mm到約400 mm。
第二EM耦合區域262b可在建立於第一腔組件268a之中的第一EM能量調整空間269a之內於由第一腔壁265a之第二EM耦合距離276b處加以建立，並且第二EM調整部275b可延伸進入第二EM耦合區域262b。第二EM調整部275b可自第二EM耦合區域262b取得第二微波能量，且第二微波能量可利用第二電漿調整部270b於第二位置(x_1b)傳送至製程空間215。第二EM耦合區域262b可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第二EM耦合距離276b可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第二EM耦合距離276b可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第二電漿調整板261b可包含介電材料，可連結至第二控制組件260b，其可用以在第一EM能量調整空間269a之內將該第二電漿調整板261b相對於第二電漿調整桿(270b,275b)的第二EM調整部275b移動263b一第二EM調整距離277b。該第二控制組件260b和該第二電漿調整板261b可用以將自第二EM耦合區域262b耦合至第二電漿調整桿(270b,275b)的第二EM調整部275b之微波能量予以最佳化。舉例來說，第二EM調整距離277b可建立於第一EM能量調整空間269a內之第二EM調整部275b和第二電漿調整板261b之間，且第二EM調整距離277b可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第二電漿調整桿(270b,275b)可具有與其相關聯的第二直徑(d_1b)，且第二直徑(d_1b)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二電漿調整板261b可具有與其相關聯的第二直徑(D_1b)，且第二直徑(D_1b)可變化於約1 mm到約10 mm。第二EM耦合區域262b、第二控制組件260b、及第二電漿調整板261b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(x_1b)，且第二x/y平面偏移(x_1b)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第二控制組件260b可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1b)。
第三電漿調整桿(270c,275c)可包含介電材料，且可具有第三電漿調整部270c，其可於利用(x_2c)加以定義的第三位置延伸第三電漿調整距離271c進入製程空間215。舉例來說，第三電漿調整距離271c可變化於約10 mm到約400 mm。
第三EM耦合區域262c可在建立於第一腔組件268a之中的第一EM能量調整空間269a之內，於由第一腔壁265a之第三EM耦合距離276c處加以建立，並且第三EM調整部275c可延伸進入第三EM耦合區域262c。第三EM調整部275c可自第三EM耦合區域262c取得第三微波能量，且第三微波能量可利用第三電漿調整部270c於第三位置(x_2c)傳送至製程空間215。第三EM耦合區域262c可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第三EM耦合距離276c可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第三EM耦合距離276c可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第三電漿調整板261c可包含介電材料，可連結至第三控制組件260c，其可用以在第一EM能量調整空間269a之內將該第三電漿調整板261c相對於第三電漿調整桿(270c,275c)的第三EM調整部275c移動263c一第三EM調整距離277c。該第三控制組件260c和該第三電漿調整板261c可用以將自第三EM耦合區域262c耦合至第三電漿調整桿(270c,275c)的第三EM調整部275c之微波能量予以最佳化。舉例來說，第三EM調整距離277c可建立於第一EM能量調整空間269a內之第三EM調整部275c和第三電漿調整板261c之間，且第三EM調整距離277c可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第三電漿調整桿(270c,275c)可具有與其相關聯的第三直徑(d_1c)，且第三直徑(d_1c)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第三電漿調整板261c可具有與其相關聯的第三直徑(D_1c)，且第三直徑(D_1c)可變化於約1 mm到約10 mm。第三EM耦合區域262c、第三控制組件260c、及第三電漿調整板261c可具有與其相關聯的第三x/y平面偏移(x_1c)，且第三x/y平面偏移(x_1c)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第三控制組件260c可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1c)。
第四電漿調整桿(270d,275d)可包含介電材料，且可具有第四電漿調整部270d，其可於利用(x_2d)加以定義的第四位置延伸第四電漿調整距離271d進入製程空間215。舉例來說，第四電漿調整距離271d可變化於約10 mm到約400 mm。
第四EM耦合區域262d可在建立於第一腔組件268a之中的第一EM能量調整空間269a之內，於由第一腔壁265a之第四EM耦合距離276d處加以建立，並且第四EM調整部275d可延伸進入第四EM耦合區域262d。第四EM調整部275d可自第四EM耦合區域262d取得第四微波能量，且第四微波能量可利用第四電漿調整部270d於第四位置(x_2d)傳送至製程空間215。第四EM耦合區域262d可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第四EM耦合距離276d可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第四EM耦合距離276d可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第四電漿調整板261d可包含介電材料，可連結至第四控制組件260d，其可用以在第一EM能量調整空間269a之內將該第四電漿調整板261d相對於第四電漿調整桿(270d,275d)的第四EM調整部275d移動263d一第四EM調整距離277d。該第四控制組件260d和該第四電漿調整板261d可用以將自第四EM耦合區域262d耦合至第四電漿調整桿(270d,275d)的第四EM調整部275d之微波能量予以最佳化。舉例來說，第四EM調整距離277d可建立於第一EM能量調整空間269a內之第四EM調整部275d和第四電漿調整板261d之間，且第四EM調整距離277d可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第四電漿調整桿(270d,275d)可具有與其相關聯的第四直徑(d_1d)，且第四直徑(d_1d)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第四電漿調整板261d可具有與其相關聯的第四直徑(D_1d)，且第四直徑(D_1d)可變化於約1 mm到約10 mm。第四EM耦合區域262d、第四控制組件260d、及第四電漿調整板261d可具有與其相關聯的第四x/y平面偏移(x_1d)，且第四x/y平面偏移(x_1d)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第四控制組件260d可包含介電材料，且可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1d)。
第五電漿調整桿(270e,275e)可包含介電材料，且可具有第五電漿調整部270e，其可於利用(x_2e)加以定義的第五位置延伸第五電漿調整距離271e進入製程空間215。舉例來說，第五電漿調整距離271e可變化於約10 mm到約400 mm。
第五EM耦合區域262e可在建立於第二腔組件268b之中的第二EM能量調整空間269b之內，於由第一腔壁265b之第五EM耦合距離276e處加以建立，並且第五EM調整部275e可延伸進入第五EM耦合區域262e。第五EM調整部275e可自第五EM耦合區域262e取得第五微波能量，且第五微波能量可利用第五電漿調整部270e於第五位置(x_2e)傳送至製程空間215。第五EM耦合區域262e可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第五EM耦合距離276e可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第五EM耦合距離276e可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第五電漿調整板261e可包含介電材料，可連結至第五控制組件260e，其可用以在第一EM能量調整空間269a之內將該第五電漿調整板261e相對於第五電漿調整桿(270e,275e)的第五EM調整部275e移動263e一第五EM調整距離277e。該第五控制組件260e和該第五電漿調整板261e可用以將自第五EM耦合區域262e耦合至第五電漿調整桿(270e,275e)的第五EM調整部275e之微波能量予以最佳化。舉例來說，第五EM調整距離277e可建立於第二EM能量調整空間269b內之第五EM調整部275e和第五電漿調整板261e之間，且第五EM調整距離277e可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第五電漿調整桿(270e,275e)可具有與其相關聯的第五直徑(d_1e)，且第五直徑(d_1e)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第五電漿調整板261e可具有與其相關聯的第五直徑(D_1e)，且第五直徑(D_1e)可變化於約1 mm到約10 mm。第五EM耦合區域262e、第五控制組件260e、及第五電漿調整板261e可具有與其相關聯的第五x/y平面偏移(x_1e)，且第五x/y平面偏移(x_1e)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第五控制組件260e可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1e)。
繼續參照圖2A，第六電漿調整桿(270f,275f)可包含介電材料，且可具有第六電漿調整部270f，其可於利用(x_2f)加以定義的第六位置延伸第六電漿調整距離271f進入製程空間215。第六電漿調整距離271f可變化於約10 mm到約400 mm。
第六EM耦合區域262f可在建立於第二腔組件268b之中的第二EM能量調整空間269b之內，於由第一腔壁265b之第六EM耦合距離276f處加以建立，並且第六EM調整部275f可延伸進入第六EM耦合區域262f。第六EM調整部275f可自第六EM耦合區域262f取得第六微波能量，且第六微波能量可利用第六電漿調整部270f於第六位置(x_2f)傳送至製程空間215。第六EM耦合區域262f可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第六EM耦合距離276f可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第六EM耦合距離276f可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第六電漿調整板261f可包含介電材料，可連結至第六控制組件260f，其可用以在第二EM能量調整空間269b之內將該第六電漿調整板261f相對於第六電漿調整桿(270f,275f)的第六EM調整部275f移動263f一第六EM調整距離277f。該第六控制組件260f和該第六電漿調整板261f可用以將自第六EM耦合區域262f耦合至第六電漿調整桿(270f,275f)的第六EM調整部275f之微波能量予以最佳化。舉例來說，第六EM調整距離277f可建立於第二EM能量調整空間269b內之第六EM調整部275f和第六電漿調整板261f之間，且第六EM調整距離277f可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第六電漿調整桿(270f,275f)可具有與其相關聯的第六直徑(d_1f)，且第六直徑(d_1f)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第六電漿調整板261f可具有與其相關聯的第六直徑(D_1f)，且第六直徑(D_1f)可變化於約1 mm到約10 mm。第六EM耦合區域262f、第六控制組件260f、及第六電漿調整板261f可具有與其相關聯的第六x/y平面偏移(x_1f)，且第六x/y平面偏移(x_1f)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第六控制組件260f可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1f)。
第七電漿調整桿(270g,275g)可包含介電材料，且可具有第七電漿調整部270g，其可於利用(x_2g)加以定義的第七位置延伸第七電漿調整距離271g進入製程空間215。第七電漿調整距離271g可變化於約10 mm到約400 mm。
第七EM耦合區域262g可在建立於第二腔組件268b之中的第二EM能量調整空間269b之內，於由第一腔壁265b之第七EM耦合距離276g處加以建立，並且第七EM調整部275g可延伸進入第七EM耦合區域262g。第七EM調整部275g可自第七EM耦合區域262g取得第七微波能量，且第七微波能量可利用第七電漿調整部270g於第七位置(x_2g)傳送至製程空間215。第七EM耦合區域262g可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第七EM耦合距離276g可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第七EM耦合距離276g可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第七電漿調整板261g可包含介電材料，可連結至第七控制組件260g，其可用以在第二EM能量調整空間269b之內將該第七電漿調整板261g相對於第七電漿調整桿(270g,275g)的第七EM調整部275g移動263g一第七EM調整距離177g。該第七控制組件260g和該第七電漿調整板261g可用以將自第七EM耦合區域262g耦合至第七電漿調整桿(270g,275g)的第七EM調整部275g之微波能量予以最佳化。舉例來說，第七EM調整距離277g可建立於第二EM能量調整空間269b內之第七EM調整部275g和第七電漿調整板261g之間，且第七EM調整距離277g可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第七電漿調整桿(270g,275g)可具有與其相關聯的第七直徑(d_1g)，且第七直徑(d_1g)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第七電漿調整板261g可具有與其相關聯的第七直徑(D_1g)，且第七直徑(D_1g)可變化於約1 mm到約10 mm。第七EM耦合區域262g、第七控制組件260g、及第七電漿調整板261g可具有與其相關聯的第七x/y平面偏移(x_1g)，且第七x/y平面偏移(x_1g)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第七控制組件260g可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1g)。
第八電漿調整桿(270h,275h)可包含介電材料，且可具有第八電漿調整部270h，其可於利用(x_2h)加以定義的第八位置延伸第八電漿調整距離271h進入製程空間215。第八電漿調整距離271h可變化於約10 mm到約400 mm。
第八EM耦合區域262h可在建立於第二腔組件268b之中的第二EM能量調整空間269b之內，於由第一腔壁265b之第八EM耦合距離276h處加以建立，並且第八EM調整部275_h可延伸進入第八EM耦合區域262h。第八EM調整部275h可自第八EM耦合區域262h取得第八微波能量，且第八微波能量可利用第八電漿調整部270h於第八位置(x_2h)傳送至製程空間215。第八EM耦合區域262h可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第八EM耦合距離276h可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第八EM耦合距離276h可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第八電漿調整板261h可包含介電材料，可連結至第八控制組件260h，其可用以在第二EM能量調整空間269b之內將該第八電漿調整板261h相對於第八電漿調整桿(270h,275h)的第八EM調整部275h移動263h一第八EM調整距離277h。該第八控制組件260h和該第八電漿調整板261h可用以將自第八EM耦合區域262h耦合至第八電漿調整桿(270h,275h)的第八EM調整部275h之微波能量予以最佳化。舉例來說，第八EM調整距離277h可建立於第二EM能量調整空間269b內之第八EM調整部275h和第八電漿調整板261h之間，且第八EM調整距離277h可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第八電漿調整桿(270h,275h)可具有與其相關聯的第八直徑(d_1h)，且第八直徑(d_1h)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第八電漿調整板261h可具有與其相關聯的第八直徑(D_1h)，且第八直徑(D_1h)可變化於約1 mm到約10 mm。第八EM耦合區域262h、第八控制組件260h、及第八電漿調整板261h可具有與其相關聯的第八x/y平面偏移(x_1h)，且第八x/y平面偏移(x_1h)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。舉例來說，第八控制組件260h可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1h)。
第二微波處理系統200的俯視圖包含第一腔控制組件245a的俯視圖，其被顯示連結第一腔調整板246a的俯視圖。第一腔控制組件245a可具有與其相關聯的第一直徑(d_1aa)，且該第一直徑(d_1aa)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一腔調整板246a可具有與其相關聯的第二直徑(D_1aa)，且該第二直徑(D_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。第一腔控制組件245a和第一腔調整板246a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(y_1aa)，且第一x/y平面偏移(y_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
此外，第二微波處理系統200的俯視圖包含第二腔控制組件245b的俯視圖，其被顯示連結第二腔調整板246b的俯視圖。第二腔控制組件245b可具有與其相關聯的第一額外直徑(d_1ba)，且該第一額外直徑(d_1ba)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二腔調整板246b可具有與其相關聯的第二額外直徑(D_1ba)，且該第二額外直徑(D_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。第二腔控制組件245b和第二腔調整板246b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(y_1ba)，且第二x/y平面偏移(y_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
圖2B顯示在第二微波處理系統200中第二製程腔室210的局部切開前視圖。該前視圖顯示互相連結的複數額外的壁212的x/z平面視圖，藉此建立在第二製程腔室210之中的製程空間215的局部切開前視圖。第二微波處理系統200可建構成用以在製程空間215之中形成均勻電漿。
該前視圖顯示具有第一EM能量調整空間269a於其中的第一腔組件268a的切開圖，且第一腔組件268a可包含第一腔壁265a、第二腔壁266a、至少一個第三腔壁267a、及一個以上的額外腔壁(未顯示)。舉例而言，第一腔組件268a可利用第一腔壁265a連結至第一介面組件212a。該前視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間269b於其中的第二腔組件268b的切開視圖，且該第二腔組件268b可包含第一腔壁265b、第二腔壁266b、至少一個第三腔壁267b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件268b可利用第一腔壁265b連結至第二介面組件212b。
在圖2B中顯示第一組電漿調整桿(270a-270d)的局部前視圖(虛線視圖)、第一組電漿調整板(261a-261d)的局部前視圖(虛線視圖)、第二組電漿調整桿(270e-270h)的局部前視圖(虛線視圖)、及第二組電漿調整板(261e-161h)的局部前視圖(虛線視圖)。
第一組電漿調整桿(270a-270d)與第一組電漿調整板(261a-261d)可具有與其相關聯的第一組x/y平面偏移(x_2a-d)，且該第一組x/y平面偏移(x_2a-d)可變化於約10 mm到約100 mm。第一組電漿調整桿(270a-270d)與第一組電漿調整板(261a-261d)可具有與其相關聯的第一組x/z平面偏移(z_1a-d)，且該第一組x/z平面偏移(z_1a-d)可變化於約100 mm到約400 mm。
第二組電漿調整桿(270e-270h)與第二組電漿調整板(261f-261h)可具有與其相關聯的第二組x/y平面偏移(x_2e-h)，且該第二組x/y平面偏移(x_2e-h)可變化於約10 mm到約100 mm。第二組電漿調整桿(270e-270h)與第二組電漿調整板(261e-261h)可具有與其相關聯的第二組x/z平面偏移(z_1e-h)，且該第二組x/z平面偏移(z_1e-h)可變化於約100 mm到約400 mm。
圖2B顯示第二微波處理系統200可包含連結至腔室壁212的一個以上電漿感測器206，以取得第一電漿資料。此外，第二微波處理系統200可建構成用以處理200 mm基板、300 mm基板、或更大尺寸的基板。此外，可配置正方形和/或矩形腔室，使得第二微波處理系統200可建構成用以處理正方形或矩形的基板、晶圓、或LCD，無論其為熟習此技藝者所知的何種尺寸。因此，雖然將就半導體基板的處理對本發明的實施態樣加以描述，但本發明係不僅限定於此。
如圖2B所示，第一EM來源250a可耦合至第一腔組件268a，且第二EM來源250b可耦合至第二腔組件268b。第一EM來源250a可耦合至第一匹配網路252a，且第一匹配網路252a可耦合至第一耦合網路254a。第二EM來源250b可耦合至第二匹配網路252b，且第二匹配網路252b可耦合至第二耦合網路254b。或者是，可使用複數匹配網路(未顯示)或複數耦合網路(未顯示)。
第一耦合網路254a可被可移除自如地連結至第一腔組件268a，而第一腔組件268a可被可移除自如地連結至製程腔室210的第一介面組件212a的上部。第一耦合網路254a可用以在第一腔組件268a之中提供微波能量至第一EM能量調整空間269a。第二耦合網路254b可被可移除自如地連結至第二腔組件268b，而第二腔組件268b可被可移除自如地連結至製程腔室210的第二介面組件212b的上部。第二耦合網路254b可用以在第二腔組件268b之中提供額外的微波能量至第二EM能量調整空間269b。或者，可使用其他的EM耦合構造。
如圖2B所示，控制器295可連結296至EM來源(250a、250b)、匹配網路(252a、252b)、耦合網路(254a、254b)、及腔組件(268a、268b)，並且控制器295可利用製程配方以建立、控制、及最佳化EM來源(250a、250b)、匹配網路(252a、252b)、耦合網路(254a、254b)、及腔組件(268a、268b)，以控制製程空間215之內的電漿均勻性。舉例而言，EM來源(250a、250b)可操作於從約500 MHz到約5000 MHz的頻率。此外，控制器295可連結296至電漿感測器206和製程感測器207，並且控制器295可利用製程配方建立、控制、和最佳化來自電漿感測器206和製程感測器207的資料，以控制製程空間215之內的電漿均勻性。
此外，控制器295可連結296至氣體供給系統240、氣體供給次組件241、及氣體噴淋頭243。舉例而言，氣體供給系統240、氣體供給次組件241、及氣體噴淋頭243可建構成用以將一種以上製程氣體導入製程空間215，且可包含流量控制和/或流量量測元件。
在乾式電漿蝕刻期間，製程氣體可包含蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或其二者以上的組合。舉例而言，當電漿蝕刻例如矽氧化物(SiO_x)或矽氮化物(Si_xN_y)之介電膜時，電漿蝕刻氣體成份通常包含氟碳基化學品(C_xF_y)，例如C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄等其中至少一者，且/或可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，且可具有惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者。此外，舉例來說，當蝕刻多晶矽之時，電漿蝕刻氣體成份一般包含含鹵素氣體，例如HBr、Cl₂、NF₃、或SF₆、或其二者以上組合，且可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，及惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者、或其二者以上。在電漿輔助沉積期間，製程氣體可包含膜形成前驅物、還原氣體、或惰性氣體、或其二者以上之組合。
如圖2B所示，第二微波處理系統200可包含壓力控制系統290及埠291，其連結至製程腔室210且建構成用以排空製程腔室210並控制製程腔室210之內的壓力。此外，第二微波處理系統200可包含用於處理基板205的一可移動的基板固持器220。
第二微波處理系統200的前視圖包含第一腔控制組件245a的局部前視圖，其被顯示連結至第一腔調整板246a的前視圖。第一腔控制組件245a和第一腔調整板246a可具有與其關聯的第一x/z平面偏移(z_1aa)，且該第一x/z平面偏移(z_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
第一腔控制組件245a可用以在第一EM能量調整空間269a之內移動247a第一腔調整板246a腔調整距離248a。控制器295可連結296至腔控制組件245a，且控制器295可使用製程配方來建立、控制、及最佳化腔調整距離248a，以即時控制和維持在製程空間215之內的電漿均勻性。舉例而言，腔調整距離248a可變化於約0.01 mm到約10 mm，且腔調整距離248a可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
此外，第二微波處理系統200的前視圖包含第二腔控制組件245b的局部前視圖，其被顯示連結至第二腔調整板246b的前視圖。第二腔控制組件245b和第二腔調整板246b可具有與其關聯的第二x/z平面偏移(z_1ba)，且該第二x/z平面偏移(z_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
第二腔控制組件245b可用以在第二EM能量調整空間269b之內移動247b第二腔調整板246b第二腔調整距離248b。控制器295可連結296至第二腔控制組件245b，且控制器295可使用製程配方來建立、控制、及最佳化第二腔調整距離248b，以即時控制和維持在製程空間215之內的電漿均勻性。舉例而言，第二腔調整距離248b可變化於約0.01 mm到約10 mm，且第二腔調整距離248b可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
圖2C顯示在第二微波處理系統200中第二製程腔室210的局部切開側視圖。該側視圖顯示連結至第一介面組件212a和第二介面組件212b的複數腔室壁212的y/z平面視圖，藉此建立在製程腔室210之中的製程空間215的局部切開側視圖。第二微波處理系統200可建構成用以在製程空間215之中形成電漿。
在圖2C中顯示在第一腔組件268a中的第一EM能量調整空間269a的局部側視圖與在第二腔組件268b中的第二EM能量調整空間269b的局部側視圖。在圖2C中顯示第一組電漿調整桿(270a-270d)的局部側視圖、第一組電漿調整板(261a-261d)的局部側視圖、第二組電漿調整桿(270e-270h)的局部側視圖、及第二組電漿調整板(261e-261h)的局部側視圖。
在圖2C中亦顯示第一組隔離組件(264a、264b、264c、及264d)與第二組隔離組件(264e、264f、264g、及264h)的側視圖。舉例來說，第一組隔離組件(264a、264b、264c、及264d)可用以將第一組電漿調整桿{(270a、270b、270c、及270d)和(275a、275b、275c、及275d)}可移除自如地連結至第一介面組件212a。第一組隔離組件(264a、264b、264c、及264d)每一者可被可移除自如地連結至第一介面組件212a。此外，第二組隔離組件(264e、264f、264g、及264h)可用以將第二組電漿調整桿{(270e、270f、270g、及270h)和(275e、275f、275g、及275h)}可移除自如地連結至第二介面組件212b。第二組隔離組件(264e、264f、264g、及264h)每一者可被可移除自如地連結至第二介面組件212b。
如圖2C所示，第一組電漿調整板(261a、261b、261c、及261d)可連結至第一組控制組件(260a、260b、260c、及260d)，且第一組控制組件(260a、260b、260c、及260d)可用以在第一EM能量調整空間269a之內，將第一組電漿調整板(261a、261b、261c、及261d)相對於EM調整部(275a、275b、275c、及275d)移動(263a、263b、263c、及263d)第一組EM調整距離(277a、277b、277c、及277d)。此外，第二組電漿調整板(261e、261f、261g、及261h)可連結至第二組控制組件(260e、260f、260g、及260h)，且第二組控制組件(260e、260f、260g、及260h)可用以在第二EM能量調整空間269b之內，將第二組電漿調整板(261e、261f、261g、及261h)相對於EM調整部(275e、275f、275g、及275h)移動(263e、263f、263g、及263h)第二組EM調整距離(277e、277f、277g、及277h)。
第一組控制組件(260a、260b、260c、及260d)可連結296至控制器295。且控制器295可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第一組EM調整距離(277a、277b、277c、及277d)，以控制在製程空間215之內的電漿均勻性。此外，第二組控制組件(260e、260f、260g、及260h)可連結296至控制器295，且控制器295可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第二組EM調整距離(277e、277f、277g、及277h)，以控制在製程空間215之內的電漿均勻性。
控制器295可連結296至EM來源(250a、250b)、匹配網路(252a、252b)、耦合網路(254a、254b)、及腔組件(268a、268b)，且控制器295可利用製程配方來建立、控制、及最佳化EM來源(250a、250b)、匹配網路(252a、252b)、耦合網路(254a、254b)、及腔組件(268a、268b)，以控制在製程空間215之內的電漿均勻性。舉例來說，EM來源(250a、250b)可操作於約500 MHz到約5000 MHz之頻率。此外，控制器295可連結296至電漿感測器206、製程感測器207、及腔感測器(208a及208b)，且控制器295可利用製程配方來建立、控制、及最佳化來自電漿感測器206、製程感測器207、及腔感測器(208a及208b)的資料，以控制在製程空間215之內的電漿均勻性。
該側視圖描述製程腔室210，其具有在y/z平面之與其相關聯的全寬(y_T)和全高(z_T)。舉例來說，該全寬(y_T)可變化於約50 mm到約500 mm，且該全高(z_T)可變化於約50 mm到約500 mm。
圖3A顯示在第三微波處理系統300中第三製程腔室310的局部切開俯視圖。該俯視圖顯示形成第三製程腔室310的第一介面組件312a、第二介面組件312b、及連結至第一介面組件312a和第二介面組件312b的複數額外的腔室壁312的x/y平面圖。舉例來說，腔室壁312可具有與其相關聯的壁厚度(t)，且該壁厚度(t)可變化於約1 mm到約5 mm。第一介面組件312a可具有與其相關聯的第一介面厚度(t_i1)，且該第一介面厚度(t_i1)可變化於約1 mm到約10 mm。第二介面組件312b可具有與其相關聯的第二介面厚度(t_i2)，且該第二介面厚度(t_i2)可變化於約1 mm到約10 mm。製程空間315可具有與其相關聯的長度(x_T)，且該長度(x_T)可變化於約10 mm到約500 mm。
第三微波處理系統300的俯視圖顯示具有第一EM能量調整空間369a於其中的第一腔組件368a的切開視圖，且該第一腔組件368a可包含第一腔壁365a、第二腔壁366a、至少一個第三腔壁367a、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第一腔組件368a可利用第一腔壁365a連結至第一介面組件312a，並且壁(365a、366a、及367a)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_a)，而壁厚度(t_a)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第一EM能量調整空間369a可具有與其相關聯的第一長度(x_T1a)及第一寬度(y_1a)，第一長度(x_T1a)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第一寬度(y_1a)可變化於自約5 mm到約50 mm。
第三微波處理系統300的俯視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間369b於其中的第二腔組件368b的切開視圖，且該第二腔組件368b可包含第一腔壁365b、第二腔壁366b、至少一個第三腔壁367b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件368b可利用第一腔壁365b連結至第二介面組件312b，並且壁(365b、366b、及367b)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_b)，而壁厚度(t_b)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第二EM能量調整空間369b可具有與其相關聯的第二長度(x_T1b)及第二寬度(y_1b)，第二長度(x_T1b)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第二寬度(y_1b)可變化於自約5 mm到約50 mm。
在若干例示系統中，一第一組隔離組件(364a、364b、及364c)被可移除自如地連結至第一介面組件312a，且可建構成用以將製程空間315隔離於第一EM能量調整空間369a。該第一組隔離組件(364a、364b、及364c)可用以將第一組電漿調整桿{(370a、370b、及370c)和(375a、375b、及375c)}可移除自如地連結至第一介面組件312a。舉例而言，第一組電漿調整部(370a、370b、及370c)可配置於製程空間315之中，且第一組EM調整部(375a、375b、及375c)可配置於第一EM能量調整空間369a。
第二組隔離組件(364d、364e、及364f)被可移除自如地連結至第二介面組件312b，且可建構成用以將製程空間315隔離於第二EM能量調整空間369b。該第二組隔離組件(364d、364e、及364f)可用以將第二組電漿調整桿{(370d、370e、及370f)和(375d、375e、及375f)}可移除自如地連結至第二介面組件312b。舉例而言，第二組電漿調整部(370d、370e、及370f)可配置於製程空間315之中，且第二組EM調整部(375d、375e、及375f)可配置於第二EM能量調整空間369b。
仍然參考圖3A，第一電漿調整桿(370a,375a)可包含介電材料，且可具有第一電漿調整部370a，其可於利用(x_2a)加以定義的第一位置延伸第一電漿調整距離371a進入製程空間315。第一電漿調整距離371a可變化於自約10 mm到約400 mm。
第一EM耦合區域362a可在建立於第一腔組件368a之中的第一EM能量調整空間369a之內，於由第一腔壁365a之第一EM耦合距離376a處加以建立，並且第一EM調整部375a可延伸進入第一EM耦合區域362a。第一EM調整部375a可自第一EM耦合區域362a取得第一微波能量，且第一微波能量可利用第一電漿調整部370a於第一位置(x_2a)傳送至製程空間315。第一EM耦合區域362a可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第一EM耦合距離376a可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第一EM耦合距離376a可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第一電漿調整板361a可包含介電材料，可連結至第一控制組件360a，其可用以在第一EM能量調整空間369a之內將該第一電漿調整板361a相對於第一電漿調整桿(370a,375a)的第一EM調整部375a移動363a一第一EM調整距離377a。該第一控制組件360a和該第一電漿調整板361a可用以將自第一EM耦合區域362a耦合至第一電漿調整桿(370a,375a)的第一EM調整部375a之微波能量予以最佳化。舉例來說，第一EM調整距離377a可建立於第一EM能量調整空間369a內之第一EM調整部375a和第一電漿調整板361a之間，且第一EM調整距離377a可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第一電漿調整桿(370a,375a)可具有與其相關聯的第一直徑(d_1a)，且第一直徑(d_1a)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一電漿調整板361a可具有與其相關聯的第一直徑(D_1a)，且第一直徑(D_1a)可變化於約1 mm到約10 mm。第一EM耦合區域362a、第一控制組件360a、及第一電漿調整板361a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(x_1a)，且第一x/y平面偏移(x_1a)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第一控制組件360a可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1a)。
第二電漿調整桿(370b,375b)可具有第二電漿調整部370b，其可於利用(x_2b)加以定義的第二位置延伸第二電漿調整距離371b進入製程空間315。舉例來說，第二電漿調整距離371b可變化於約10 mm到約400 mm。
第二EM耦合區域362b可在建立於第一腔組件368a之中的第一EM能量調整空間369a之內，於由第一腔壁365a之第二EM耦合距離376b處加以建立，並且第二EM調整部375b可延伸進入第二EM耦合區域362b。第二EM調整部375b可自第二EM耦合區域362b取得第二微波能量，且第二微波能量可利用第二電漿調整部370b於第二位置(x_1b)傳送至製程空間315。第二EM耦合區域362b可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第二EM耦合距離376b可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第二EM耦合距離376b可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第二電漿調整板361b可包含介電材料，可連結至第二控制組件360b，其可用以在第一EM能量調整空間369a之內將該第二電漿調整板361b相對於第二電漿調整桿(370b,375b)的第二EM調整部375b移動363b一第二EM調整距離377b。該第二控制組件360b和該第二電漿調整板361b可用以將自第二EM耦合區域362b耦合至第二電漿調整桿(370b,375b)的第二EM調整部375b之微波能量予以最佳化。舉例來說，第二EM調整距離377b可建立於第一EM能量調整空間369a內之第二EM調整部375b和第二電漿調整板361b之間，且第二EM調整距離377b可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第二電漿調整桿(370b,375b)可具有與其相關聯的第二直徑(d_1b)，且第二直徑(d_1b)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二電漿調整板361b可具有與其相關聯的第二直徑(D_1b)，且第二直徑(D_1b)可變化於約1 mm到約10 mm。第二EM耦合區域362b、第二控制組件360b、及第二電漿調整板361b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(x_1b)，且第二x/y平面偏移(x_1b)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第二控制組件360b可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1b)。
第三電漿調整桿(370c,375c)可包含介電材料，且可具有第三電漿調整部370c，其可於利用(x_2c)加以定義的第三位置延伸第三電漿調整距離371c進入製程空間315。舉例來說，第三電漿調整距離371c可變化於約10 mm到約400 mm。
第三EM耦合區域362c可在建立於第一腔組件368a之中的第一EM能量調整空間369a之內，於由第一腔壁365a之第三EM耦合距離376c處加以建立，並且第三EM調整部375c可延伸進入第三EM耦合區域362c。第三EM調整部375c可自第三EM耦合區域362c取得第三微波能量，且第三微波能量可利用第三電漿調整部370c於第三位置(x_2c)傳送至製程空間315。第三EM耦合區域362c可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。第三EM耦合距離376c可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第三EM耦合距離376c可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第三電漿調整板361c可包含介電材料，可連結至第三控制組件360c，其可用以在第一EM能量調整空間369a之內將該第三電漿調整板361c相對於第三電漿調整桿(370c,375c)的第三EM調整部375c移動363c一第三EM調整距離377c。該第三控制組件360c和該第三電漿調整板361c可用以將自第三EM耦合區域362c耦合至第三電漿調整桿(370c,375c)的第三EM調整部375c之微波能量予以最佳化。舉例來說，第三EM調整距離377c可建立於第一EM能量調整空間369a內之第三EM調整部375c和第三電漿調整板361c之間，且第三EM調整距離377c可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第三電漿調整桿(370c,375c)可具有與其相關聯的第三直徑(d_1c)，且第三直徑(d_1c)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第三電漿調整板361c可具有與其相關聯的第三直徑(D_1c)，且第三直徑(D_1c)可變化於約1 mm到約10 mm。第三EM耦合區域362c、第三控制組件360c、及第三電漿調整板361c可具有與其相關聯的第三x/y平面偏移(x_1c)，且第三x/y平面偏移(x_1c)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。舉例來說，第三控制組件360c可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1c)。
第四電漿調整桿(370d,375d)可包含介電材料，且可具有第四電漿調整部370d，其可於利用(x_2d)加以定義的第四位置延伸第四電漿調整距離371d進入製程空間315。舉例來說，第四電漿調整距離371d可變化於約10 mm到約400 mm。
第四EM耦合區域362d可在建立於第二腔組件368b之中的第二EM能量調整空間369b之內，於由第一腔壁365b之第四EM耦合距離376d處加以建立，並且第四EM調整部375d可延伸進入第四EM耦合區域362d。第四EM調整部375d可自第四EM耦合區域362d取得第四微波能量，且第四微波能量可利用第四電漿調整部370d於第四位置(x_2d)傳送至製程空間315。第四EM耦合區域362d可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第四EM耦合距離376d可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第四EM耦合距離376d可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第四電漿調整板361d可包含介電材料，可連結至第四控制組件360d，其可用以在第二EM能量調整空間369b之內將該第四電漿調整板361d相對於第四電漿調整桿(370d,375d)的第四EM調整部375d移動363d一第四EM調整距離377d。該第四控制組件360d和該第四電漿調整板361d可用以將自第四EM耦合區域362d耦合至第四電漿調整桿(370d,375d)的第四EM調整部375d之微波能量予以最佳化。舉例來說，第四EM調整距離377d可建立於第二EM能量調整空間369b內之第四EM調整部375d和第四電漿調整板361d之間，且第四EM調整距離377d可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第四電漿調整桿(370d,375d)可具有與其相關聯的第四直徑(d_1d)，且第四直徑(d_1d)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第四電漿調整板361d可具有與其相關聯的第四直徑(D_1d)，且第四直徑(D_1d)可變化於約1 mm到約10 mm。第四EM耦合區域362d、第四控制組件360d、及第四電漿調整板361d可具有與其相關聯的第四x/y平面偏移(x_1d)，且第四x/y平面偏移(x_1d)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第四控制組件360d可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1d)。
第五電漿調整桿(370e,375e)可包含介電材料，且可具有第五電漿調整部370e，其可於利用(x_2e)加以定義的第五位置延伸第五電漿調整距離371e進入製程空間315。舉例來說，第五電漿調整距離371e可變化於約10 mm到約400 mm。
第五EM耦合區域362e可在建立於第二腔組件368b之中的第二EM能量調整空間369b之內，於由第一腔壁365b之第五EM耦合距離376e處加以建立，並且第五EM調整部375e可延伸進入第五EM耦合區域362e。第五EM調整部375e可自第五EM耦合區域362e取得第五微波能量，且第五微波能量可利用第五電漿調整部370e於第五位置(x_2e)傳送至製程空間315。第五EM耦合區域362e可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第五EM耦合距離376e可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第五EM耦合距離376e可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第五電漿調整板361e可包含介電材料，可連結至第五控制組件360e，其可用以在第一EM能量調整空間269a之內將該第五電漿調整板361e相對於第五電漿調整桿(370e,375e)的第五EM調整部375e移動363e一第五EM調整距離377e。該第五控制組件360e和該第五電漿調整板361e可用以將自第五EM耦合區域362e耦合至第五電漿調整桿(370e,375e)的第五EM調整部375e之微波能量予以最佳化。舉例來說，第五EM調整距離377e可建立於第二EM能量調整空間369b內之第五EM調整部375e和第五電漿調整板361e之間，且第五EM調整距離377e可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第五電漿調整桿(370e,375e)可具有與其相關聯的第五直徑(d_1e)，且第五直徑(d_1e)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第五電漿調整板361e可具有與其相關聯的第五直徑(D_1e)，且第五直徑(D_1e)可變化於約1 mm到約10 mm。第五EM耦合區域362e、第五控制組件360e、及第五電漿調整板361e可具有與其相關聯的第五x/y平面偏移(x_1e)，且第五x/y平面偏移(x_1e)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第五控制組件360e可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1e)。
繼續參照圖3A，第六電漿調整桿(370f,375f)可包含介電材料，且可具有第六電漿調整部370f，其可於利用(x_2f)加以定義的第六位置延伸第六電漿調整距離371f進入製程空間315。第六電漿調整距離371f可變化於約10 mm到約400 mm。
第六EM耦合區域362f可在建立於第二腔組件368b之中的第二EM能量調整空間369b之內，於由第一腔壁365b之第六EM耦合距離376f處加以建立，並且第六EM調整部375f可延伸進入第六EM耦合區域362f。第六EM調整部375f可自第六EM耦合區域362f取得第六微波能量，且第六微波能量可利用第六電漿調整部370f於第六位置(x_2f)傳送至製程空間315。第六EM耦合區域362f可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第六EM耦合距離376f可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第六EM耦合距離376f可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第六電漿調整板361f可包含介電材料，且可連結至第六控制組件360f，其可用以在第二EM能量調整空間369b之內將該第六電漿調整板361f相對於第六電漿調整桿(370f,375f)的第六EM調整部375f移動363f一第六EM調整距離377f。該第六控制組件360f和該第六電漿調整板361f可用以將自第六EM耦合區域362f耦合至第六電漿調整桿(370f,375f)的第六EM調整部375f之微波能量予以最佳化。舉例來說，第六EM調整距離377f可建立於第二EM能量調整空間369b內之第六EM調整部375f和第六電漿調整板361f之間，且第六EM調整距離377f可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第六電漿調整桿(370f,375f)可具有與其相關聯的第六直徑(d_1f)，且第六直徑(d_1f)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第六電漿調整板361f可具有與其相關聯的第六直徑(D_1f)，且第六直徑(D_1f)可變化於約1 mm到約10 mm。第六EM耦合區域362f、第六控制組件360f、及第六電漿調整板361f可具有與其相關聯的第六x/y平面偏移(x_1f)，且第六x/y平面偏移(x_1f)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第六控制組件360f可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1f)。
第三微波處理系統300的俯視圖包含第一腔控制組件345a的俯視圖，其被顯示連結第一腔調整板346a的俯視圖。第一腔控制組件345a可具有與其相關聯的第一直徑(d_1aa)，且該第一直徑(d_1aa)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一腔調整板346a可具有與其相關聯的第二直徑(D_1aa)，且該第二直徑(D_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。第一腔控制組件345a和第一腔調整板346a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(y_1aa)，且該第一x/y平面偏移(y_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
此外，第三微波處理系統300的俯視圖包含第二腔控制組件345b的俯視圖，其被顯示連結第二腔調整板346b的俯視圖。第二腔控制組件345b可具有與其相關聯的第一額外直徑(d_1ba)，且該第一額外直徑(d_1ba)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二腔調整板346b可具有與其相關聯的第二額外直徑(D_1ba)，且該第二額外直徑(D_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。第二腔控制組件345b和第二腔調整板346b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(y_1ba)，且第二x/y平面偏移(y_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
圖3B顯示在第三微波處理系統300中第三製程腔室310的局部切開前視圖。該前視圖顯示互相連結的複數額外的壁312的x/z平面視圖，藉此建立在第三製程腔室310之中的製程空間315的局部切開前視圖。第三微波處理系統300可建構成用以在製程空間315之中形成均勻電漿。
該前視圖顯示具有第一EM能量調整空間369a於其中的第一腔組件368a的切開圖，且第一腔組件368a可包含第一腔壁365a、第二腔壁366a、至少一個第三腔壁367a、及一個以上的額外的腔壁(未顯示)。舉例而言，第一腔組件368a可利用第一腔壁365a連結至第一介面組件312a。該前視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間369b於其中的第二腔組件368b的切開視圖，且該第二腔組件368b可包含第一腔壁365b、第二腔壁366b、至少一個第三腔壁367b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件368b可利用第一腔壁365b連結至第二介面組件312b。
在圖3B中顯示第一組電漿調整桿(370a-370c)的局部前視圖(虛線視圖)、第一組電漿調整板(361a-361c)的局部前視圖(虛線視圖)、第二組電漿調整桿(370d-370f)的局部前視圖(虛線視圖)、及第二組電漿調整板(361d-361f)的局部前視圖(虛線視圖)。
第一組電漿調整桿(370a-370c)與第一組電漿調整板(361a-361c)可具有與其相關聯的第一組x/y平面偏移(x_2a-c)，且該第一組x/y平面偏移(x_2a-c)可變化於約10 mm到約100 mm。第一組電漿調整桿(370a-370c)與第一組電漿調整板(361a-361c)可具有與其相關聯的第一組x/z平面偏移(z_1a-c)，且該第一組x/z平面偏移(z_1a-c)可變化於約100 mm到約400 mm。
第二組電漿調整桿(370d-370f)與第二組電漿調整板(361d-361f)可具有與其相關聯的第二組x/y平面偏移(x_2d-f)，且該第二組x/y平面偏移(x_2d-f)可變化於約10 mm到約100 mm。第二組電漿調整桿(370d-370f)與第二組電漿調整板(361d-361f)可具有與其相關聯的第二組x/z平面偏移(z_1d-f)，且該第二組x/z平面偏移(z_1d-f)可變化於約100 mm到約400 mm。
圖3B顯示第三微波處理系統300可包含連結至腔室壁312的一個以上電漿感測器306，以取得第一電漿資料。此外，第三微波處理系統300可建構成用以處理300 mm基板、300 mm基板、或更大尺寸的基板。此外，可配置正方形和/或矩形腔室，使得第三微波處理系統300可建構成用以處理正方形或矩形的基板、晶圓、或LCD，無論其為熟習此技藝者所知的何種尺寸。因此，雖然將就半導體基板的處理對本發明的實施態樣加以描述，但本發明係不僅限定於此。如圖3B所示，第一EM來源350a可連結至第一腔組件368a，且第二EM來源350b可連結至第二腔組件368b。第一EM來源350a可耦合至第一匹配網路352a，且第一匹配網路352a可耦合至第一耦合網路354a。第二EM來源350b可耦合至第二匹配網路352b，且第二匹配網路352b可耦合至第二耦合網路354b。或者是，可使用複數匹配網路(未顯示)或複數耦合網路(未顯示)。
第一耦合網路354a可被可移除自如地連結至第一腔組件368a，而第一腔組件368a可被可移除自如地連結至製程腔室310的第一介面組件312a的上部。第一耦合網路354a可用以在第一腔組件368a之中提供微波能量至第一EM能量調整空間369a。第二耦合網路354b可被可移除自如地連結至第二腔組件368b，而第二腔組件368b可被可移除自如地連結至製程腔室310的第二介面組件312b的上部。第二耦合網路354b可用以在第二腔組件368b之中提供額外的微波能量至第二EM能量調整空間369b。或者，可使用其他的EM耦合構造。
如圖3B所示，控制器395可連結396至EM來源(350a、350b)、匹配網路(352a、352b)、耦合網路(354a、354b)、及腔組件(368a、368b)，並且控制器395可利用製程配方以建立、控制、及最佳化EM來源(350a、350b)、匹配網路(352a、352b)、耦合網路(354a、354b)、及腔組件(368a、368b)，以控制製程空間315之內的電漿均勻性。舉例而言，EM來源(350a、350b)可操作於從約500 MHz到約5000 MHz的頻率。此外，控制器395可連結396至電漿感測器306和製程感測器307，並且控制器395可利用製程配方建立、控制、和最佳化來自電漿感測器306和製程感測器307的資料，以控制製程空間315之內的電漿均勻性。
此外，控制器395可連結396至氣體供給系統340、氣體供給次組件341、及氣體噴淋頭343。舉例而言，氣體供給系統340、氣體供給次組件341、及氣體噴淋頭343可建構成用以將一種以上製程氣體導入製程空間315，且可包含流量控制和/或流量量測元件。
在乾式電漿蝕刻期間，製程氣體可包含蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或其二者以上的組合。舉例而言，當電漿蝕刻例如矽氧化物(SiO_x)或矽氮化物(Si_xN_y)之介電膜時，電漿蝕刻氣體成份通常包含氟碳基化學品(C_xF_y)，例如C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄等其中至少一者，且/或可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，且可具有惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者。此外，舉例來說，當蝕刻多晶矽之時，電漿蝕刻氣體成份一般包含含鹵素氣體，例如HBr、Cl₂、NF₃、或SF₆、或其二者以上組合，且可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，及惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者、或其二者以上。在電漿輔助沉積期間，製程氣體可包含膜形成前驅物、還原氣體、或惰性氣體、或其二者以上之組合。
如圖3B所示，第三微波處理系統300可包含壓力控制系統390及埠391，其連結至製程腔室310且建構成用以排空製程腔室310並控制製程腔室310之內的壓力。此外，第三微波處理系統300可包含用於處理基板305的一可移動的基板固持器320。
第三微波處理系統300的前視圖包含第一腔控制組件345a的局部前視圖，其被顯示連結至第一腔調整板346a的前視圖。第一腔控制組件345a和第一腔調整板346a可具有與其關聯的第一x/z平面偏移(z_1aa)，且該第一x/z平面偏移(z_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
第一腔控制組件345a可用以在第一EM能量調整空間369a之內移動347a第一腔調整板346a腔調整距離348a。控制器395可連結396至腔控制組件345a，且控制器395可使用製程配方來建立、控制、及最佳化腔調整距離348a，以即時控制和維持在製程空間315之內的電漿均勻性。舉例而言，腔調整距離348a可變化於約0.01 mm到約10 mm，且腔調整距離348a可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
此外，第三微波處理系統300的前視圖包含第二腔控制組件345b的局部前視圖，其被顯示連結至第二腔調整板346b的前視圖。第二腔控制組件345b和第二腔調整板346b可具有與其關聯的第二x/z平面偏移(z_1ba)，且該第二x/z平面偏移(z_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
第二腔控制組件345b可用以在第二EM能量調整空間369b之內移動347b第二腔調整板346b第二腔調整距離348b。控制器395可連結396至第二腔控制組件345b，且控制器395可使用製程配方來建立、控制、及最佳化第二腔調整距離348b，以即時控制和維持在製程空間315之內的電漿均勻性。舉例而言，第二腔調整距離348b可變化於約0.01 mm到約10 mm，且第二腔調整距離348b可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
圖3C顯示在第三微波處理系統300中第三製程腔室310的局部切開側視圖。該側視圖顯示連結至第一介面組件312a和第二介面組件312b的複數腔室壁312的y/z平面視圖，藉此建立在製程腔室310之中的製程空間315的局部切開側視圖。第三微波處理系統300可建構成用以在製程空間315之中形成均勻電漿。
在圖3C中顯示在第一腔組件368a中的第一EM能量調整空間369a的局部側視圖與在第二腔組件368b中的第二EM能量調整空間369b的局部側視圖。在圖3C中顯示第一組電漿調整桿(370a-370c)的局部側視圖、第一組電漿調整板(361a-361c)的局部側視圖、第二組電漿調整桿(370d-370f)的局部側視圖、及第二組電漿調整板(361d-361f)的局部側視圖。
在圖3C中亦顯示第一組隔離組件(364a、364b、及364c)與第二組隔離組件(364d、364e、及364f)的側視圖。舉例來說，第一組隔離組件(364a、364b、及364c)可用以將第一組電漿調整桿{(370a、370b、及370c)和(375a、375b、及375c)}可移除自如地連結至第一介面組件312a。第一組隔離組件(364a、364b、及364c)每一者可被可移除自如地連結至第一介面組件312a。此外，第二組隔離組件(364d、364e、及364f)可用以將第二組電漿調整桿{(370d、370e、及370f)和(375d、375e、及375f)}可移除自如地連結至第二介面組件312b。第二組隔離組件(364d、364e、及364f)每一者可被可移除自如地連結至第二介面組件312b。
如圖3C所示，第一組電漿調整板(361a、361b、及361c)可連結至第一組控制組件(360a、360b、及360c)，且第一組控制組件(360a、360b、及360c)可用以在第一EM能量調整空間369a之內，將第一組電漿調整板(361a、361b、及361c)相對於EM調整部(375a、375b、及375c)移動(363a、363b、及363c)第一組EM調整距離(377a、377b、及377c)。此外，第二組電漿調整板(361d、361e、及361f)可連結至第二組控制組件(360d、360e、及360f)，且第二組控制組件(360d、360e、及360f)可用以在第二EM能量調整空間369b之內，將第二組電漿調整板(361d、361e、及361f)相對於EM調整部(375d、375e、及375f)移動(363d、363e、及363f)第二組EM調整距離(377d、377e、及377f)。
第一組控制組件(360a、360b、及360c)可連結396至控制器395，且控制器395可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第一組EM調整距離(377a、377b、及377c)，以控制在製程空間315之內的電漿均勻性。此外，第二組控制組件(360d、360e、及360f)可連結396至控制器395，且控制器395可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第二組EM調整距離(377d、377e、及377f)，以控制在製程空間315之內的電漿均勻性。
控制器395可連結396至EM來源(350a、350b)、匹配網路(352a、352b)、耦合網路(354a、354b)、及腔組件(368a、368b)，且控制器395可利用製程配方來建立、控制、及最佳化EM來源(350a、350b)、匹配網路(352a、352b)、耦合網路(354a、354b)、及腔組件(368a、368b)，以控制在製程空間315之內的電漿均勻性。舉例來說，EM來源(350a、350b)可操作於約500 MHz到約5000 MHz之頻率。此外，控制器395可連結396至電漿感測器306、製程感測器307、及腔感測器(308a及308b)，且控制器395可利用製程配方來建立、控制、及最佳化來自電漿感測器306、製程感測器307、及腔感測器(308a及308b)的資料，以控制在製程空間315之內的電漿均勻性。
該側視圖描述製程腔室310，其具有在y/z平面之與其相關聯的全寬(y_T)和全高(z_T)。該全寬(y_T)可變化於約50 mm到約500 mm，且該全高(z_T)可變化於約50 mm到約500 mm。
圖4A顯示在第四微波處理系統400中第四製程腔室410的局部切開俯視圖。該俯視圖顯示形成第四製程腔室410的第一介面組件412a、第二介面組件412b、及連結至第一介面組件412a和第二介面組件412b的複數額外的腔室壁412的x/y平面圖。舉例來說，腔室壁412可具有與其相關聯的壁厚度(t)，且該壁厚度(t)可變化於約1 mm到約5 mm。第一介面組件412a可具有與其相關聯的第一介面厚度(t_i1)，且該第一介面厚度(t_i1)可變化於約1 mm到約10 mm。第二介面組件412b可具有與其相關聯的第二介面厚度(t_i2)，且該第二介面厚度(t_i2)可變化於約1 mm到約10 mm。製程空間415可具有與其相關聯的長度(x_T)，且該長度(x_T)可變化於約10 mm到約500 mm。
第四微波處理系統400的俯視圖顯示具有第一EM能量調整空間469a於其中的第一腔組件468a的切開視圖，且該第一腔組件468a可包含第一腔壁465a、第二腔壁466a、至少一個第三腔壁467a、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第一腔組件468a可利用第一腔壁465a連結至第一介面組件412a，並且壁(465a、466a、及467a)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_a)，而壁厚度(t_a)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第一EM能量調整空間469a可具有與其相關聯的第一長度(x_T1a)及第一寬度(y_1a)，第一長度(x_T1a)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第一寬度(y_1a)可變化於自約5 mm到約50 mm。
第四微波處理系統400的俯視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間469b於其中的第二腔組件468b的切開視圖，且該第二腔組件468b可包含第一腔壁465b、第二腔壁466b、至少一個第三腔壁467b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件468b可利用第一腔壁465b連結至第二介面組件412b，並且壁(465b、466b、及467b)可包含介電材料且可具有與其相關聯的壁厚度(t_b)，而壁厚度(t_b)可變化於自約1 mm到約5 mm。此外，第二EM能量調整空間469b可具有與其相關聯的第二長度(x_T1b)及第二寬度(y_1b)，第二長度(x_T1b)可變化於自約10 mm到約500 mm，且第二寬度(y_1b)可變化於自約5 mm到約50 mm。
在若干例示系統中，一第一組隔離組件(464a及464b)被可移除自如地連結至第一介面組件412a，且可建構成用以將製程空間415隔離於第一EM能量調整空間469a。該第一組隔離組件(464a及464b)可用以將第一組電漿調整桿{(470a及470b)和(475a及475b)}可移除自如地連結至第一介面組件412a。舉例而言，第一組電漿調整部(470a及470b)可配置於製程空間415之中，且第一組EM調整部(475a及475b)可配置於第一EM能量調整空間469a。
第二組隔離組件(464c及464d)可被可移除自如地連結至第二介面組件412b，且可建構成用以將製程空間415隔離於第二EM能量調整空間469b。該第二組隔離組件(464c及464d)可用以將第二組電漿調整桿{(470c及470d)和(475c及475d)}可移除自如地連結至第二介面組件412b。舉例而言，第二組電漿調整部(470c及470d)可配置於製程空間415之中，且第二組EM調整部(475c及475d)可配置於第二EM能量調整空間469b。
仍然參考圖4A，第一電漿調整桿(470a,475a)可包含介電材料，且可具有第一電漿調整部470a，其可於利用(x_2a)加以定義的第一位置延伸第一電漿調整距離471a進入製程空間415。第一電漿調整距離471a可變化於自約10 mm到約400 mm。
第一EM耦合區域462a可在建立於第一腔組件468a之中的第一EM能量調整空間469a之內，於由第一腔壁465a之第一EM耦合距離476a處加以建立，並且第一EM調整部475a可延伸進入第一EM耦合區域462a。第一EM調整部475a可自第一EM耦合區域462a取得第一微波能量，且第一微波能量可利用第一電漿調整部470a於第一位置(x_2a)傳送至製程空間415。第一EM耦合區域462a可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第一EM耦合距離476a可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第一EM耦合距離476a可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第一電漿調整板461a可包含介電材料，可連結至第一控制組件460a，其可用以在第一EM能量調整空間469a之內將該第一電漿調整板461a相對於第一電漿調整桿(470a,475a)的第一EM調整部475a移動463a一第一EM調整距離477a。該第一控制組件460a和該第一電漿調整板461a可用以將自第一EM耦合區域462a耦合至第一電漿調整桿(370a,475a)的第一EM調整部475a之微波能量予以最佳化。舉例來說，第一EM調整距離477a可建立於第一EM能量調整空間469a內之第一EM調整部475a和第一電漿調整板461a之間，且第一EM調整距離477a可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第一電漿調整桿(470a,475a)可具有與其相關聯的第一直徑(d_1a)，且第一直徑(d_1a)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一電漿調整板461a可具有與其相關聯的第一直徑(D_1a)，且第一直徑(D_1a)可變化於約1 mm到約10 mm。第一EM耦合區域462a、第一控制組件460a、及第一電漿調整板461a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(x_1a)，且第一x/y平面偏移(x_1a)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第一控制組件460a可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1a)。
第二電漿調整桿(470b,475b)可具有第二電漿調整部470b，其於利用(x_2b)加以定義的第二位置延伸第二電漿調整距離471b進入製程空間415。舉例來說，第二電漿調整距離471b可變化於約10 mm到約400 mm。
第二EM耦合區域462b可在建立於第一腔組件468a之中的第一EM能量調整空間469a之內，於由第一腔壁465a之第二EM耦合距離476b處加以建立，並且第二EM調整部475b可延伸進入第二EM耦合區域462b。第二EM調整部475b可自第二EM耦合區域462b取得第二微波能量，且第二微波能量可利用第二電漿調整部470b於第二位置(x_1b)傳送至製程空間415。第二EM耦合區域462b可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第二EM耦合距離476b可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第二EM耦合距離476b可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第二電漿調整板461b可包含介電材料，可連結至第二控制組件460b，其可用以在第一EM能量調整空間469a之內將該第二電漿調整板461b相對於第二電漿調整桿(470b,475b)的第二EM調整部475b移動463b一第二EM調整距離477b。該第二控制組件460b和該第二電漿調整板461b可用以將自第二EM耦合區域462b耦合至第二電漿調整桿(470b,475b)的第二EM調整部475b之微波能量予以最佳化。舉例來說，第二EM調整距離477b可建立於第一EM能量調整空間469a內之第二EM調整部475b和第二電漿調整板461b之間，且第二EM調整距離477b可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第二電漿調整桿(470b,475b)可具有與其相關聯的第二直徑(d_1b)，且第二直徑(d_1b)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二電漿調整板461b可具有與其相關聯的第二直徑(D_1b)，且第二直徑(D_1b)可變化於約1 mm到約10 mm。第二EM耦合區域462b、第二控制組件460b、及第二電漿調整板461b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(x_1b)，且第二x/y平面偏移(x_1b)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第二控制組件460b可包含介電材料，且可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1b)。
第三電漿調整桿(470c,475c)可包含介電材料，且可具有第三電漿調整部470c，其於利用(x_2c)加以定義的第三位置延伸第三電漿調整距離471c進入製程空間415。舉例來說，第三電漿調整距離471c可變化於約10 mm到約400 mm。
第三EM耦合區域462c可在建立於第二腔組件468b之中的第二EM能量調整空間469b之內，於由第一腔壁465a之第三EM耦合距離476c處加以建立，並且第三EM調整部475c可延伸進入第三EM耦合區域462c。第三EM調整部475c可自第三EM耦合區域462c取得第三微波能量，且第三微波能量可利用第三電漿調整部470c於第三位置(x_2c)傳送至製程空間415。第三EM耦合區域462c可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第三EM耦合距離476c可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第三EM耦合距離476c可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第三電漿調整板461c可包含介電材料，可連結至第三控制組件460c，其可用以在第二EM能量調整空間469b之內將該第三電漿調整板461c相對於第三電漿調整桿(470c,475c)的第三EM調整部475c移動463c一第三EM調整距離477c。該第三控制組件460c和該第三電漿調整板461c可用以將自第三EM耦合區域462c耦合至第三電漿調整桿(470c,475c)的第三EM調整部475c之微波能量予以最佳化。舉例來說，第三EM調整距離477c可建立於第二EM能量調整空間469b內之第三EM調整部475c和第三電漿調整板461c之間，且第三EM調整距離477c可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第三電漿調整桿(470c,475c)可具有與其相關聯的第三直徑(d_1c)，且第三直徑(d_1c)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第三電漿調整板461c可具有與其相關聯的第三直徑(D_1c)，且第三直徑(D_1c)可變化於約1 mm到約10 mm。第三EM耦合區域462c、第三控制組件460c、及第三電漿調整板461c可具有與其相關聯的第三x/y平面偏移(x_1c)，且第三x/y平面偏移(x_1c)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第三控制組件460c可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1c)。
第四電漿調整桿(470d,475d)可包含介電材料，且可具有第四電漿調整部470d，其可於利用(x_2d)加以定義的第四位置延伸第四電漿調整距離471d進入製程空間415。舉例來說，第四電漿調整距離471d可變化於約10 mm到約400 mm。
第四EM耦合區域462d可在建立於第二腔組件468b之中的第二EM能量調整空間469b之內，於由第一腔壁465b之第四EM耦合距離476d處加以建立，並且第四EM調整部475d可延伸進入第四EM耦合區域462d。第四EM調整部475d可自第四EM耦合區域462d取得第四微波能量，且第四微波能量可利用第四電漿調整部470d於第四位置(x_2d)傳送至製程空間415。第四EM耦合區域462d可包含一最大場區域、一最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。舉例來說，第四EM耦合距離476d可變化於約0.01 mm到約10 mm，並且第四EM耦合距離476d可為波長相依且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
第四電漿調整板461d可包含介電材料，可連結至第四控制組件460d，其可用以在第二EM能量調整空間469b之內將該第四電漿調整板461d相對於第四電漿調整桿(470d,475d)的第四EM調整部475d移動463d一第四EM調整距離477d。該第四控制組件460d和該第四電漿調整板461d可用以將自第四EM耦合區域462d耦合至第四電漿調整桿(470d,475d)的第四EM調整部475d之微波能量予以最佳化。舉例來說，第四EM調整距離477d可建立於第二EM能量調整空間469b內之第四EM調整部475d和第四電漿調整板461d之間，且第四EM調整距離477d可變化於約0.01 mm到約1 mm。
第四電漿調整桿(470d,475d)可具有與其相關聯的第四直徑(d_1d)，且第四直徑(d_1d)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第四電漿調整板461d可具有與其相關聯的第四直徑(D_1d)，且第四直徑(D_1d)可變化於約1 mm到約10 mm。第四EM耦合區域462d、第四控制組件460d、及第四電漿調整板461d可具有與其相關聯的第四x/y平面偏移(x_1d)，且第四x/y平面偏移(x_1d)可為波長相依的，且可變化於約四分之一波長(λ/4)到約(10λ)。第四控制組件460d可包含介電材料，可具有圓柱形構造及可變化於約1 mm到約5 mm的直徑(d_1d)。
第四微波處理系統400的俯視圖包含第一腔控制組件445a的俯視圖，其被顯示連結第一腔調整板446a的俯視圖。第一腔控制組件445a可具有與其相關聯的第一直徑(d_1aa)，且該第一直徑(d_1aa)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第一腔調整板446a可具有與其相關聯的第二直徑(D_1aa)，且該第二直徑(D_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。第一腔控制組件445a和第一腔調整板446a可具有與其相關聯的第一x/y平面偏移(y_1aa)，且該第一x/y平面偏移(y_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
此外，第四微波處理系統400的俯視圖包含第二腔控制組件445b的俯視圖，其被顯示連結第二腔調整板446b的俯視圖。第二腔控制組件445b可具有與其相關聯的第一額外直徑(d_1ba)，且該第一額外直徑(d_1ba)可變化於約0.01 mm到約1 mm。第二腔調整板446b可具有與其相關聯的第二額外直徑(D_1ba)，且該第二額外直徑(D_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。第二腔控制組件445b和第二腔調整板446b可具有與其相關聯的第二x/y平面偏移(y_1ba)，且第二x/y平面偏移(y_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
圖4B顯示在第四微波處理系統400中第四製程腔室410的局部切開前視圖。該前視圖顯示互相連結的複數額外的壁412的x/z平面視圖，藉此建立在第四製程腔室410之中的製程空間415的局部切開前視圖。第四微波處理系統400可建構成用以在製程空間415之中形成電漿。
第四微波處理系統400的前視圖顯示具有第一EM能量調整空間469a於其中的第一腔組件468a的切開圖，且第一腔組件468a可包含第一腔壁465a、第二腔壁466a、至少一個第三腔壁467a、及一個以上的額外腔壁(未顯示)。舉例而言，第一腔組件468a可利用第一腔壁465a連結至第一介面組件412a。該前視圖亦顯示具有第二EM能量調整空間469b於其中的第二腔組件468b的切開視圖，且該第二腔組件468b可包含第一腔壁465b、第二腔壁466b、至少一個第三腔壁467b、及一個以上額外的腔壁(未顯示)。舉例來說，第二腔組件468b可利用第一腔壁465b連結至第二介面組件412b。
在圖4B中顯示第一組電漿調整桿(470a及470b)的局部前視圖(虛線視圖)、第一組電漿調整板(461a及461b)的局部前視圖(虛線視圖)、第二組電漿調整桿(470c及470d)的局部前視圖(虛線視圖)、及第二組電漿調整板(461c及461d)的局部前視圖(虛線視圖)。
第一組電漿調整桿(470a及470b)與第一組電漿調整板(461a及461b)可具有與其相關聯的第一組x/y平面偏移(x_2a-b)，且該第一組x/y平面偏移(x_2a-b)可變化於約10 mm到約100 mm。第一組電漿調整桿(470a及470b)與第一組電漿調整板(461a及461b)可具有與其相關聯的第一組x/z平面偏移(z_1a-b)，且該第一組x/z平面偏移(z_1a-b)可變化於約100 mm到約400 mm。
第二組電漿調整桿(470c及470d)與第二組電漿調整板(461c及461d)可具有與其相關聯的第二組x/y平面偏移(x_2c-d)，且該第二組x/y平面偏移(x_2c-d)可變化於約10 mm到約100 mm。第二組電漿調整桿(470c及470d)與第二組電漿調整板(461c及461d)可具有與其相關聯的第二組x/z平面偏移(z_1c-d)，且該第二組x/z平面偏移(z_1c-d)可變化於約100 mm到約400 mm。
圖4B顯示第四微波處理系統400可包含連結至腔室壁412的一個以上電漿感測器406，以取得第一電漿資料。此外，第四微波處理系統400可建構成用以處理400 mm基板、300 mm基板、或更大尺寸的基板。此外，可配置正方形和/或矩形腔室，使得第四微波處理系統400可建構成用以處理正方形或矩形的基板、晶圓、或LCD，無論其為熟習此技藝者所知的何種尺寸。因此，雖然將就半導體基板的處理對本發明的實施態樣加以描述，但本發明係不僅限定於此。
如圖4B所示，第一EM來源450a可耦合至第一腔組件468a，且第二EM來源450b可耦合至第二腔組件468b。第一EM來源450a可耦合至第一匹配網路452a，且第一匹配網路452a可耦合至第一耦合網路454a。第二EM來源450b可耦合至第二匹配網路452b，且第二匹配網路452b可耦合至第二耦合網路454b。或者是，可使用複數匹配網路(未顯示)或複數耦合網路(未顯示)。
第一耦合網路454a可被可移除自如地連結至第一腔組件468a，而第一腔組件468a可被可移除自如地連結至製程腔室410的第一介面組件412a的上部。第一耦合網路454a可用以在第一腔組件468a之中提供微波能量至第一EM能量調整空間469a。第二耦合網路454b可被可移除自如地連結至第二腔組件468b，而第二腔組件468b可被可移除自如地連結至製程腔室410的第二介面組件412b的上部。第二耦合網路454b可用以在第二腔組件468b之中提供額外的微波能量至第二EM能量調整空間469b。或者，可使用其他的EM耦合構造。
如圖4B所示，控制器495可連結496至EM來源(450a、450b)、匹配網路(452a、452b)、耦合網路(454a、454b)、及腔組件(468a、468b)，並且控制器495可利用製程配方以建立、控制、及最佳化EM來源(450a、450b)、匹配網路(452a、452b)、耦合網路(454a、454b)、及腔組件(468a、468b)，以控制製程空間415之內的電漿均勻性。舉例而言，EM來源(450a、450b)可操作於從約500 MHz到約5000 MHz的頻率。此外，控制器495可連結496至電漿感測器406和製程感測器407，並且控制器495可利用製程配方建立、控制、和最佳化來自電漿感測器406和製程感測器407的資料，以控制製程空間415之內的電漿均勻性。
此外，控制器495可連結496至氣體供給系統440、氣體供給次組件441、及氣體噴淋頭443。舉例而言，氣體供給系統440、氣體供給次組件441、及氣體噴淋頭443可建構成用以將一種以上製程氣體導入製程空間415，且可包含流量控制和/或流量量測元件。
在乾式電漿蝕刻期間，製程氣體可包含蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或其二者以上的組合。舉例而言，當電漿蝕刻例如矽氧化物(SiO_x)或矽氮化物(Si_xN_y)之介電膜時，電漿蝕刻氣體成份通常包含氟碳基化學品(C_xF_y)，例如C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄等其中至少一者，且/或可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，且可具有惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者。此外，舉例來說，當蝕刻多晶矽之時，電漿蝕刻氣體成份一般包含含鹵素氣體，例如HBr、Cl₂、NF₃、或SF₆、或其二者以上組合，且可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，及惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者、或其二者以上。在電漿輔助沉積期間，製程氣體可包含膜形成前驅物、還原氣體、或惰性氣體、或其二者以上之組合。
如圖4B所示，第四微波處理系統400可包含壓力控制系統490及埠491，其連結至製程腔室410且建構成用以排空製程腔室410並控制製程腔室410之內的壓力。此外，第四微波處理系統400可包含用於處理基板405的一可移動的基板固持器420。
第四微波處理系統400的前視圖包含第一腔控制組件445a的局部前視圖，其被顯示連結至第一腔調整板446a的前視圖。第一腔控制組件445a和第一腔調整板446a可具有與其關聯的第一x/z平面偏移(z_1aa)，且該第一x/z平面偏移(z_1aa)可變化於約1 mm到約10 mm。
第一腔控制組件445a可用以在第一EM能量調整空間469a之內移動447a第一腔調整板446a第四腔調整距離448a。控制器495可連結496至第一腔控制組件445a，且控制器495可使用製程配方來建立、控制、及最佳化第四腔調整距離448a，以即時控制和維持在製程空間415之內的電漿均勻性。舉例而言，第四腔調整距離448a可變化於約0.01 mm到約10 mm，且第四腔調整距離448a可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
此外，第四微波處理系統400的前視圖包含第二腔控制組件445b的局部前視圖，其被顯示連結至第二腔調整板446b的前視圖。第二腔控制組件445b和第二腔調整板446b可具有與其關聯的第二x/z平面偏移(z_1ba)，且該第二x/z平面偏移(z_1ba)可變化於約1 mm到約10 mm。
第二腔控制組件445b可用以在第二EM能量調整空間469b之內移動447b第二腔調整板446b第二腔調整距離448b。控制器495可連結至第二腔控制組件445b，且控制器495可使用製程配方來建立、控制、及最佳化第二腔調整距離448b，以即時控制和維持在製程空間415之內的電漿均勻性。舉例而言，第二腔調整距離448b可變化於約0.01 mm到約10 mm，且第二腔調整距離448b可為波長相依的，且可變化於約(λ/4)到約(10λ)。
圖4C顯示在第四微波處理系統400之中第四製程腔室410的局部切開側視圖。該側視圖顯示連結至第一介面組件412a和第二介面組件412b的複數腔室壁412的y/z平面視圖，藉此建立在製程腔室410之中的製程空間415的局部切開側視圖。第四微波處理系統400可建構成用以在製程空間415之中形成電漿。
在圖4C中顯示在第一腔組件468a中的第一EM能量調整空間469a的局部側視圖與在第二腔組件468b中的第二EM能量調整空間469b的局部側視圖。在圖4C中顯示第一組電漿調整桿(470a及470b)的局部側視圖、第一組電漿調整板(461a及461b)的局部側視圖、第二組電漿調整桿(470c及470d)的局部側視圖、及第二組電漿調整板(461c及461d)的局部側視圖。
在圖4C中亦顯示第一組隔離組件(464a及464b)與第二組隔離組件(464c及464d)的側視圖。舉例來說，第一組隔離組件(464a及464b)可用以將第一組電漿調整桿{(470a及470b)和(475a及475b)}可移除自如地連結至第一介面組件412a。第一組隔離組件(464a及464b)每一者可被可移除自如地連結至第一介面組件412a。此外，第二組隔離組件(464c及464d)可用以將第二組電漿調整桿{(470c及470d)和(475c及475d)}可移除自如地連結至第二介面組件412b。第二組隔離組件(464c及464d)每一者可被可移除自如地連結至第二介面組件412b。
如圖4C所示，第一組電漿調整板(461a及461b)可連結至第一組控制組件(460a及460b)，且第一組控制組件(460a及460b)可用以在第一EM能量調整空間469a之內，將第一組電漿調整板(461a及461b)相對於EM調整部(475a及475b)移動(463a及463b)第一組EM調整距離(477a及477b)。此外，第二組電漿調整板(461c及461d)可連結至第二組控制組件(460c及460d)，且第二組控制組件(460c及460d)可用以在第二EM能量調整空間469b之內，將第二組電漿調整板(461c及461d)相對於EM調整部(475c及475d)移動(463c及463d)第二組EM調整距離(477c及477d)。
第一組控制組件(460a及460b)可連結至控制器495，且控制器495可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第一組EM調整距離(477a及477b)，以控制在製程空間415之內的電漿均勻性。此外，第二組控制組件(460c及460d)可連結至控制器495，且控制器495可使用製程配方來建立、控制、和最佳化第二組EM調整距離(477c及477d)，以控制在製程空間415之內的電漿均勻性。
控制器495可連結496至EM來源(450a、450b)、匹配網路(452a、452b)、耦合網路(454a、454b)、及腔組件(468a、468b)，且控制器495可利用製程配方來建立、控制、及最佳化EM來源(450a、450b)、匹配網路(452a、452b)、耦合網路(454a、454b)、及腔組件(468a、468b)，以控制在製程空間415之內的電漿均勻性。舉例來說，EM來源(450a、450b)可操作於約500 MHz到約5000 MHz之頻率。此外，控制器495可連結496至電漿感測器406、製程感測器407、及腔感測器(408a及408b)，且控制器495可利用製程配方來建立、控制、及最佳化來自電漿感測器406、製程感測器407、及腔感測器(408a及408b)的資料，以控制在製程空間415之內的電漿均勻性。
該側視圖描述製程腔室410，其具有在y/z平面之與其相關聯的全寬(y_T)和全高(z_T)。舉例來說，該全寬(y_T)可變化於約50 mm到約500 mm，且該全高(z_T)可變化於約50 mm到約500 mm。
圖5A-5D顯示根據本發明實施例之例示電漿調整桿的不同視圖。圖5A顯示第一例示電漿調整桿(570a,575a)的前視圖和側視圖。第一電漿調整部570a可具有與其相關聯的第一長度(y₁₁)，且第一長度(y₁₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第一EM調整部575a可具有與其相關聯的長度(y₁₂)，且長度(y₁₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第一電漿調整部570a和第一EM調整部575a可具有與其相關聯的第一高度(x₁)，且第一高度(x₁)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第一電漿調整部570a和第一EM調整部575a可具有與其相關聯的第一寬度(z₁)，且第一寬度(z₁)可變化於約0.1 mm到約10 mm。
圖5B顯示第二例示電漿調整桿(570b,575b)的前視圖和側視圖。第二電漿調整部570b可具有與其相關聯的第一長度(y₂₁)，且第一長度(y₂₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第二EM調整部575b可具有與其相關聯的長度(y₂₂)，且長度(y₂₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第二電漿調整部570b和第二EM調整部575b可具有與其相關聯的第二高度(x₂)，且第二高度(x₂)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第二電漿調整部570b和第二EM調整部575b可具有與其相關聯的第二寬度(z₂)，且第二寬度(z₂)可變化於約0.1 mm到約10 mm。
圖5C顯示第三例示電漿調整桿(570c,575c)的前視圖和側視圖。第三電漿調整部570c可具有與其相關聯的第三長度(y₃₁)，且第三長度(y₃₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第三EM調整部575c可具有與其相關聯的長度(y₃₂)，且長度(y₃₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第三電漿調整部570c和第三EM調整部575c可具有與其相關聯的第三高度(x₃)，且第三高度(x₃)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第三電漿調整部570c和第三EM調整部575c可具有與其相關聯的第三寬度(z₃)，且第三寬度(z₃)可變化於約0.1 mm到約10 mm。
圖5D顯示第四例示電漿調整桿(570d,575d)的前視圖和側視圖。第四電漿調整部570d可具有與其相關聯的第四長度(y₄₁)，且第四長度(y₄₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第四EM調整部575d可具有與其相關聯的長度(y₄₂)，且長度(y₄₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第四電漿調整部570d和第四EM調整部575d可具有與其相關聯的第四高度(x₄)，且第四高度(x₄)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第四電漿調整部570d和第四EM調整部575d可具有與其相關聯的第四寬度(z₄)，且第四寬度(z₄)可變化於約0.1 mm到約10 mm。
圖6A-6D顯示根據本發明實施例之例示電漿調整桿的不同視圖。圖6A顯示第一例示電漿調整桿(670a,675a)的前視圖和側視圖。第一電漿調整部670a可具有與其相關聯的第一長度(y₁₁)，且第一長度(y₁₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第一EM調整部675a可具有與其相關聯的長度(y₁₂)，且長度(y₁₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第一電漿調整部670a和第一EM調整部675a可具有與其相關聯的第一高度(x₁)，且第一高度(x₁)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第一電漿調整部670a和第一EM調整部675a可具有與其相關聯的第一寬度(z₁)，且第一寬度(z₁)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第一電漿調整部670a和第一EM調整部675a可具有與其相關聯的第一厚度(t_z1)，且第一厚度(t_z1)可變化於約0.01 mm到約1 mm。
圖6B顯示第二例示電漿調整桿(670b,675b)的前視圖和側視圖。第二電漿調整部670b可具有與其相關聯的第一長度(y₂₁)，且第一長度(y₂₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第二EM調整部675b可具有與其相關聯的長度(y₂₂)，且長度(y₂₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第二電漿調整部670b和第二EM調整部675b可具有與其相關聯的第二高度(x₂)，且第二高度(x₂)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第二電漿調整部670b和第二EM調整部675b可具有與其相關聯的第二寬度(z₂)，且第二寬度(z₂)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第二電漿調整部670b和第二EM調整部675b可具有與其相關聯的第二厚度(t_z2)，且第二厚度(t_z2)可變化於約0.01 mm到約1 mm。
圖6C顯示第三例示電漿調整桿(670c,675c)的前視圖和側視圖。第三電漿調整部670c可具有與其相關聯的第三長度(y₃₁)，且第三長度(y₃₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第三EM調整部675c可具有與其相關聯的長度(y₃₂)，且長度(y₃₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第三電漿調整部670c和第三EM調整部675c可具有與其相關聯的第三高度(x₃)，且第三高度(x₃)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第三電漿調整部670c和第三EM調整部675c可具有與其相關聯的第三寬度(z₃)，且第三寬度(z₃)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第三電漿調整部670c和第三EM調整部675c可具有與其相關聯的第三厚度(t_z3及t_x3)，且第三厚度(t_z3及t_x3)可變化於約0.01 mm到約1 mm。
圖6D顯示第四例示電漿調整桿(670d,675d)的前視圖和側視圖。第四電漿調整部670d可具有與其相關聯的第四長度(y₄₁)，且第四長度(y₄₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第四EM調整部675d可具有與其相關聯的長度(y₄₂)，且長度(y₄₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第四電漿調整部670d和第四EM調整部675d可具有與其相關聯的第四高度(x₄)，且第四高度(x₄)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第四電漿調整部670d和第四EM調整部675d可具有與其相關聯的第四寬度(z₄)，且第四寬度(z₄)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第四電漿調整部670d和第四EM調整部675d可具有與其相關聯的第四厚度(t_z4及t_x4)，且第四厚度(t_z4及t_x4)可變化於約0.01 mm到約1 mm。
圖7A-7D顯示根據本發明實施例之例示電漿調整桿的不同視圖。圖7A顯示第一例示電漿調整桿(770a,775a)的前視圖和側視圖。第一電漿調整部770a可具有與其相關聯的第一長度(y₁₁)，且第一長度(y₁₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第一EM調整部775a可具有與其相關聯的長度(y₁₂)，且長度(y₁₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第一電漿調整部770a和第一EM調整部775a可具有與其相關聯的第一高度(x₁)，且第一高度(x₁)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第一電漿調整部770a和第一EM調整部775a可具有與其相關聯的第一寬度(z₁)，且第一寬度(z₁)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第一溫度控制迴路772a可配置於第一例示電漿調整桿(770a,775a)之內。舉例來說，溫度控制流體和/或氣體可流動通過第一溫度控制迴路772a，以控制第一例示電漿調整桿(770a,775a)的溫度。第一溫度控制迴路772a可具有與其相關聯的第一直徑(d_z1)，且第一直徑(d_z1)可變化於約0.001 mm到約0.1 mm。此外，第一溫度控制迴路772a具有與其相關聯的第一偏移(1_x11及1_x12)，且第一偏移(1_x11及1_x12)可變化於約0.01 mm到約0.1 mm。
圖7B顯示第二例示電漿調整桿(770b,775b)的前視圖和側視圖。第二電漿調整部770b可具有與其相關聯的第一長度(y₂₁)，且第一長度(y₂₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第二EM調整部775b可具有與其相關聯的長度(y₂₂)，且長度(y₂₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第二電漿調整部770b和第二EM調整部775b可具有與其相關聯的第二高度(x₂)，且第二高度(x₂)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第二電漿調整部770b和第二EM調整部775b可具有與其相關聯的第二寬度(z₂)，且第二寬度(z₂)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第二溫度控制迴路772b可配置於第二例示電漿調整桿(770b,775b)之內。舉例來說，溫度控制流體和/或氣體可流動通過第二溫度控制迴路772b，以控制第二例示電漿調整桿(770b,775b)的溫度。第二溫度控制迴路772b可具有與其相關聯的第二直徑(d_z2)，且第二直徑(d_z2)可變化於約0.001 mm到約0.1 mm。此外，第二溫度控制迴路772b具有與其相關聯的第二偏移(1_x21及1_x22)，且第二偏移(1_x21及1_x22)可變化於約0.01 mm到約0.1 mm。
圖7C顯示第三例示電漿調整桿(770c,775c)的前視圖和側視圖。第三電漿調整部770c可具有與其相關聯的第三長度(y₃₁)，且第三長度(y₃₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第三EM調整部775c可具有與其相關聯的長度(y₃₂)，且長度(y₃₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第三電漿調整部770c和第三EM調整部775c可具有與其相關聯的第三高度(x₃)，且第三高度(x₃)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第三電漿調整部770c和第三EM調整部775c可具有與其相關聯的第三寬度(z₃)，且第三寬度(z₃)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第三溫度控制迴路772c可配置於第三例示電漿調整桿(770c,775c)之內。舉例來說，溫度控制流體和/或氣體可流動通過第三溫度控制迴路772c，以控制第三例示電漿調整桿(770c,775c)的溫度。第三溫度控制迴路772c可具有與其相關聯的第三直徑(d_z3)，且第三直徑(d_z3)可變化於約0.001 mm到約0.1 mm。此外，第三溫度控制迴路772c具有與其相關聯的第三偏移(1_x31及1_x32)，且第三偏移(1_x31及1_x32)可變化於約0.01 mm到約0.1 mm。
圖7D顯示第四例示電漿調整桿(770d,775d)的前視圖和側視圖。第四電漿調整部770d可具有與其相關聯的第四長度(y₄₁)，且第四長度(y₄₁)可變化於約1 mm到約400 mm。第四EM調整部775d可具有與其相關聯的長度(y₄₂)，且長度(y₄₂)可變化於約1 mm到約400 mm。第四電漿調整部770d和第四EM調整部775d可具有與其相關聯的第四高度(x₄)，且第四高度(x₄)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第四電漿調整部770d和第四EM調整部775d可具有與其相關聯的第四寬度(z₄)，且第四寬度(z₄)可變化於約0.1 mm到約10 mm。第四溫度控制迴路772d可配置於第四例示電漿調整桿(770d,775d)之內。舉例來說，溫度控制流體和/或氣體可流動通過第四溫度控制迴路772d，以控制第四例示電漿調整桿(770d,775d)的溫度。第四溫度控制迴路772d可具有與其相關聯的第四直徑(d_z4)，且第四直徑(d_z4)可變化於約0.001 mm到約0.1 mm。此外，第四溫度控制迴路772d具有與其相關聯的第四偏移(1_x41及1_x42)，且第四偏移(1_x41及1_x42)可變化於約0.01 mm到約0.1 mm。
圖8描述根據本發明實施例之例示操作程序的流程圖。圖8中顯示一例示多步驟程序800。
在步驟810中，可將基板放置於製程腔室的基板固持器之上，且第一腔組件(圖1 168a)和第二腔組件(圖1 168b)可連結至該製程腔室。在一個實施例中，可將具有第一EM能量調整空間(圖1 169a)於其中的第一腔組件(圖1 168a)，利用第一介面組件(圖1 112a)連結至第一製程腔室(圖1 110)，並且可將具有第二EM能量調整空間(圖1 169b)於其中的第二腔組件(圖1 168b)，利用第二介面組件(圖1 112b)連結至第一製程腔室(圖1 110)。
在步驟820中，可將第一組第一電漿調整桿{圖1(170a-170e)及(175a-175e)}，由第一腔組件(圖1 168a)經由第一介面組件(圖1 112a)配置進入在第一製程腔室(圖1 110)的製程空間(圖1 115)。第一組隔離組件(圖1 164a-164e)可被可移除自如地連結至第一介面組件(圖1 112a)，且可建構成用以將第一製程腔室(圖1 110)中的製程空間(圖1 115)隔離於第一腔組件(圖1 168a)中的第一EM能量調整空間(圖1 169a)。第一組隔離組件(圖1 164a-164e)可用以將第一組電漿調整桿{圖1(170a-170e)及(175a-175e)}可移除自如地連結至第一介面組件(圖1 112a)。舉例來說，第一電漿調整部(圖1 170a-170e)可配置於製程空間(圖1 115)之中，且第一EM調整部(圖1 175a-175e)可配置於第一EM能量調整空間(圖1 169a)之內。
在步驟830中，可將一組第二電漿調整桿{圖1(170f-170j)及(175f-175j)}，自第二腔組件(圖1 168b)通過第二介面組件(圖1 112b)配置進入第一製程腔室(圖1 110)之中的製程空間(圖1 115)。第二組隔離組件(圖1 164f-164j)可被可移除自如地連結至第二介面組件(圖1 112b)，且可建構成用以將第一製程腔室(圖1 110)之中的製程空間(圖1 115)隔離於第二腔組件(圖1 168b)中的第二EM能量調整空間(圖1 169b)。第二組隔離組件(圖1 164f-164j)可用以將該組第二電漿調整桿{圖1(170f-170j)及(175f-175j)}可移除自如地連結至第二介面組件(圖1 112b)。舉例來說，第二組電漿調整部(圖1 170f-170j)可配置於製程空間(圖1 115)之中，且第二EM調整部(圖1 175f-175j)可配置於第二EM能量調整空間(圖1 169b)之內。
在步驟840中，於第一和第二電漿調整桿上方將製程氣體供給進入製程腔室。在乾式電漿蝕刻期間，製程氣體可包含蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或其二者以上的組合。舉例而言，當電漿蝕刻例如矽氧化物(SiO_x)或矽氮化物(Si_xN_y)之介電膜時，電漿蝕刻氣體成份通常包含氟碳基化學品(C_xF_y)，例如C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄等其中至少一者，且/或可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，且可具有惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者。此外，舉例來說，當蝕刻多晶矽之時，電漿蝕刻氣體成份一般包含含鹵素氣體，例如HBr、Cl₂、NF₃、或SF₆、或其二者以上組合，且可包含氟烴基化學品(C_xH_yF_z)，例如CHF₃、CH₂F₂等其中至少一者，及惰性氣體、氧、CO、或CO₂其中至少一者、或其二者以上。在電漿輔助沉積期間，製程氣體可包含膜形成前驅物、還原氣體、或惰性氣體、或其二者以上之組合。
在步驟850中，藉由將第一可調整微波訊號施加至第一電漿調整桿，以及將第二可調整微波訊號施加至第二電漿調整桿，可產生均勻的微波電漿。
在若干系統中，第一組EM耦合區域(圖1 162a-162e)可在建立於第一腔組件(圖1 168a)之中的第一EM能量調整空間(圖1 169a)之內，於由第一腔壁(圖1 165a)之第一EM耦合距離(圖1 176a-176e)處加以建立，且第一組EM調整部(圖1 175a-175e)可延伸進入第一組EM耦合區域(圖1 162a-162e)。第一EM調整部(圖1 175a-175e)可自第一組EM耦合區域(圖1 162a-162e)取得不同的可調整微波訊號(能量)，且該不同的可調整微波訊號(能量)可利用第一組電漿調整部(圖1 170a-170e)於第一組位置(圖1 x_2a-x_2e)傳送至製程空間(圖1 115)。第一組EM耦合區域(圖1 162a-162e)可包含可調整電場區域、可調整磁場區域、最大電場區域、最大磁場區域、最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。
第一組電漿調整板(圖1 161a-161e)可連結至第一組控制組件(圖1 160a-160e)，其可用以在第一EM能量調整空間(圖1 169a)之內將該第一組電漿調整板(圖1 161a-161e)相對於第一組電漿調整桿{圖1(170a-170e)及(175a-175e)}的第一組EM調整部(圖1 175a-175e)移動(圖1 163a-163e)一第一組EM調整距離(圖1 177a-177e)。該第一組控制組件(圖1 160a-160e)和該第一組電漿調整板(圖1 161a-161e)可用以將自第一組EM耦合區域(圖1 162a-162e)耦合至第一組電漿調整桿{圖1(170a-170e)及(175a-175e)}的第一組EM調整部(圖1 175a-175e)之不同的可調整微波訊號(能量)予以調整/最佳化。舉例來說，第一組EM調整距離(圖1 177a-177e)可建立於第一EM能量調整空間(圖1 169a)內之第一組EM調整距離(圖1 177a-177e)和第一組電漿調整板(圖1 161a-161e)之間，且第一組EM調整距離(圖1 177a-177e)可變化於約0.01 mm到約1 mm。一個以上控制器(圖1 195)可連結至第一組控制組件(圖1 160a-160e)，且可用以控制/最佳化第一組電漿調整板(圖1 161a-161e)的移動(圖1 163a-163e)。舉例來說，一個以上控制器(圖1 195)可用以控制/最佳化第一組EM調整距離(圖1 177a-177e)，以在基板處理期間於製程腔室(圖1 110)之中在製程空間(圖1 115)之內產生、最佳化、和/或維持均勻的微波電漿。
此外，第二組EM耦合區域(圖1 162e-162j)可在建立於第二腔組件(圖1 168b)之中的第二EM能量調整空間(圖1 169b)之內，於由第一腔壁(圖1 165b)之第二組EM耦合距離(圖1 176e-176j)處加以建立，且第二組EM調整部(圖1 175f-175j)可延伸進入第二組EM耦合區域(圖1 162f-162j)。第二組EM調整部(圖1 175f-175j)可自第二組EM耦合區域(圖1 162f-162j)取得不同的可調整微波訊號(能量)，且該不同的可調整微波訊號(能量)可利用第二組電漿調整部(圖1 170f-170j)於第二組位置(圖1 x_2f-x_2j)傳送至製程空間(圖1 115)。第二組EM耦合區域(圖1 162f-162j)可包含可調整電場區域、可調整磁場區域、最大電場區域、最大磁場區域、最大電壓區域、最大能量區域、或最大電流區域、或其任何組合。
第二組電漿調整板(圖1 161f-161j)可連結至第二組控制組件(圖1 160f-160j)，其可用以在第二EM能量調整空間(圖1 169b)之內將該第二組電漿調整板(圖1 161f-161j)相對於第二組電漿調整桿{圖1(170f-170j)及(175f-175j)}的第二組EM調整部(圖1 175f-175j)移動(圖1 163f-163j)一第二組EM調整距離(圖1 177f-177j)。該第二組控制組件(圖1 160f-160j)和該第二組電漿調整板(圖1 161f-161j)可用以將自第二組EM耦合區域(圖1 162f-162j)耦合至第二組電漿調整桿{圖1(170f-170j)及(175f-175j)}的第二組EM調整部(圖1 175f-175j)之不同的可調整微波訊號(能量)予以調整/最佳化。舉例來說，第二組EM調整距離(圖1 177f-177j)可建立於第二EM能量調整空間(圖1 169b)內之第二組EM調整距離(圖1 177f-177j)和第二組電漿調整板(圖1 161f-161j)之間，且第二組EM調整距離(圖1 177f-177j)可變化於約0.01 mm到約1 mm。一個以上控制器(圖1 195)可連結至第二組控制組件(圖1 160f-160j)，且可用以控制/最佳化第二組電漿調整板(圖1 161f-161j)的第二組移動(圖1 163f-163j)。舉例來說，一個以上控制器(圖1 195)可用以控制/最佳化第二組EM調整距離(圖1 177f-177j)，以在基板處理期間於製程腔室(圖1 110)之中在製程空間(圖1 115)之內產生、最佳化、和/或維持均勻的微波電漿。
此外，一個以上控制器(圖1 195)可連結至EM來源(圖1 150a及150b)、匹配網路(圖1 152a及152b)、耦合網路(圖1 154a及154b)、及腔組件(圖1 168a及168b)，並且至少一個控制器(圖1 195)可利用製程配方來建立、控制、及最佳化EM來源(圖1 150a及150b)、匹配網路(圖1 152a及152b)、耦合網路(圖1 154a及154b)、及腔組件(圖1 168a及168b)，以控制在製程空間(圖1 115)之內的微波電漿均勻性。
在步驟860中，可藉由移動基板通過均勻微波電漿，處理該基板。
圖9描述根據本發明實施例之電漿處理系統900。電漿處理系統900可包含乾式電漿蝕刻系統或電漿輔助沉積系統。
電漿處理系統900包含製程腔室910，製程腔室910具有複數腔室壁922和介面組件(922a及922b)，其建構成用以界定一製程空間915。電漿處理系統900包含一基板固持器(未顯示)，建構成用以支持基板905和/或移動906基板905通過製程空間915。基板905在製程空間915之中暴露於電漿或製程化學品。電漿處理系統900可包含連結至介面組件(922a及922b)的複數腔組件(968a、968b、968c、968d、968e、及968f)。第一腔組件968a可連結至第一組電漿調整桿(911a和912a)；第二腔組件968b可連結至第二組電漿調整桿(911b和912b)；第三腔組件968c可連結至第三組電漿調整桿(911c和912c)；第四腔組件968d可連結至第四組電漿調整桿(911d和912d)；第五腔組件968e可連結至第五組電漿調整桿(911e和912e)；且第六腔組件968f可連結至第六組電漿調整桿(911f和912f)。可配置複數電漿調整桿(911a、912a、911b、912b、911c、912c、911d、912d、911e、912e、911f、及912f)，以在製程空間915中形成電漿。舉例來說，腔組件(968a、968b、968c、968d、968e、及968f)和電漿調整桿(911a、912a、911b、912b、911c、912c、911d、912d、911e、912e、911f、及912f)可運用此處所述之微波系統(100、200、300、或400)加以配置。
雖然以上僅詳細說明本發明的若干實施例，熟習此技藝者可輕易明白，在不實質偏離本發明的新穎教示和優點下，在實施例中許多修改是可能的。因此，所有此種修改應包含於本發明的範圍之內。
因此，本發明說明並無意限定本發明，並且在理解實施例的修改和變化係可能的，而在此處所示詳細程度下，已描述本發明的構造、操作、和行為。因此，前述詳細發明說明沒有任何意圖限制本發明，而本發明的範圍係由隨附申請專利範圍加以界定。
100‧‧‧微波處理系統
105‧‧‧基板
106‧‧‧電漿感測器
107‧‧‧製程感測器
108a、108b‧‧‧腔感測器
110‧‧‧製程腔室
112‧‧‧腔室壁
112a‧‧‧第一介面組件
112b‧‧‧第二介面組件
115‧‧‧製程空間
120‧‧‧基板固持器
140‧‧‧氣體供給系統
141‧‧‧氣體供給次組件
143‧‧‧氣體噴淋頭
145a‧‧‧第一腔控制組件
145b‧‧‧第二腔控制組件
146a‧‧‧第一腔調整板
146b‧‧‧第二腔調整板
147a‧‧‧移動
147b‧‧‧移動
148a‧‧‧腔調整距離
148b‧‧‧腔調整距離
150a‧‧‧第一EM來源
150b‧‧‧第二EM來源
152a‧‧‧第一匹配網路
152b‧‧‧第二匹配網路
154a‧‧‧第一耦合網路
154b‧‧‧第二耦合網路
160a‧‧‧第一控制組件
160b‧‧‧第二控制組件
160c‧‧‧第三控制組件
160d‧‧‧第四控制組件
160e‧‧‧第五控制組件
160f‧‧‧第六控制組件
160g‧‧‧第七控制組件
160h‧‧‧第八控制組件
160i‧‧‧第九控制組件
160j‧‧‧第十控制組件
161a‧‧‧第一電漿調整板
161b‧‧‧第二電漿調整板
161c‧‧‧第三電漿調整板
161d‧‧‧第四電漿調整板
161e‧‧‧第五電漿調整板
161f‧‧‧第六電漿調整板
161g‧‧‧第七電漿調整板
161h‧‧‧第八電漿調整板
161i‧‧‧第九電漿調整板
161j‧‧‧第十電漿調整板
162a‧‧‧第一EM耦合區域
162b‧‧‧第二EM耦合區域
162c‧‧‧第三EM耦合區域
162d‧‧‧第四EM耦合區域
162e‧‧‧第五EM耦合區域
162f‧‧‧第六EM耦合區域
162g‧‧‧第七EM耦合區域
162h‧‧‧第八EM耦合區域
162i‧‧‧第九EM耦合區域
162j‧‧‧第十EM耦合區域
163a‧‧‧移動
163b‧‧‧移動
163c‧‧‧移動
163d‧‧‧移動
163e‧‧‧移動
163f‧‧‧移動
163g‧‧‧移動
163h‧‧‧移動
163i‧‧‧移動
164a、164b、164c、164d、164e‧‧‧隔離組件
165a‧‧‧第一腔壁
165b‧‧‧第一腔壁
166a‧‧‧第二腔壁
166b‧‧‧第二腔壁
167a‧‧‧第三腔壁
167b‧‧‧第三腔壁
168a‧‧‧第一腔組件
168b‧‧‧第二腔組件
169a‧‧‧第一EM能量調整空間
169b‧‧‧第二EM能量調整空間
170a、170b、170c、170d、170e‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
170f、170g、170h、170i、170j‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
171a‧‧‧第一電漿調整距離
171b‧‧‧第二電漿調整距離
171c‧‧‧第三電漿調整距離
171d‧‧‧第四電漿調整距離
171e‧‧‧第五電漿調整距離
171f‧‧‧第六電漿調整距離
171g‧‧‧第七電漿調整距離
171h‧‧‧第八電漿調整距離
171i‧‧‧第九電漿調整距離
171j‧‧‧第十電漿調整距離
175a、175b、175c、175d、175e‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
175f、175g、175h、175i、175j‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
176a‧‧‧第一EM耦合距離
176b‧‧‧第二EM耦合距離
176c‧‧‧第三EM耦合距離
176d‧‧‧第四EM耦合距離
176e‧‧‧第五EM耦合距離
176f‧‧‧第六EM耦合距離
176g‧‧‧第七EM耦合距離
176h‧‧‧第八EM耦合距離
176i‧‧‧第九EM耦合距離
176j‧‧‧第十EM耦合距離
177a‧‧‧第一EM調整距離
177b‧‧‧第二EM調整距離
177c‧‧‧第三EM調整距離
177d‧‧‧第四EM調整距離
177e‧‧‧第五EM調整距離
177f‧‧‧第六EM調整距離
177g‧‧‧第七EM調整距離
177h‧‧‧第八EM調整距離
177i‧‧‧第九EM調整距離
177j‧‧‧第十EM調整距離
190‧‧‧壓力控制系統
191‧‧‧埠
195‧‧‧控制器
196‧‧‧連結
200‧‧‧微波處理系統
205‧‧‧基板
206‧‧‧電漿感測器
207‧‧‧製程感測器
208a‧‧‧腔感測器
208b‧‧‧腔感測器
210‧‧‧製程腔室
212a‧‧‧第一介面組件
212b‧‧‧第二介面組件
212‧‧‧腔室壁
215‧‧‧製程空間
220‧‧‧基板固持器
240‧‧‧氣體供給系統
241‧‧‧氣體供給次組件
243‧‧‧氣體噴淋頭
245a‧‧‧第一腔控制組件
245b‧‧‧第二腔控制組件
246a‧‧‧第一腔調整板
246b‧‧‧第二腔調整板
247a‧‧‧移動
247b‧‧‧移動
248a‧‧‧腔調整距離
248b‧‧‧第二腔調整距離
250a‧‧‧第一EM來源
250b‧‧‧第二EM來源
250b‧‧‧第二EM來源
252a‧‧‧第一匹配網路
252b‧‧‧第二匹配網路
254a‧‧‧第一耦合網路
254b‧‧‧第二耦合網路
260a‧‧‧第一控制組件
260b‧‧‧第二控制組件
260c‧‧‧第三控制組件
260d‧‧‧第四控制組件
260e‧‧‧第五控制組件
260f‧‧‧第六控制組件
260g‧‧‧第七控制組件
260h‧‧‧第八控制組件
261a‧‧‧第一電漿調整板
261b‧‧‧第二電漿調整板
261c‧‧‧第三電漿調整板
261d‧‧‧第四電漿調整板
261e‧‧‧第五電漿調整板
261f‧‧‧第六電漿調整板
261g‧‧‧第七電漿調整板
261h‧‧‧第八電漿調整板
262a‧‧‧第一EM耦合區域
262b‧‧‧第二EM耦合區域
262c‧‧‧第三EM耦合區域
262d‧‧‧第四EM耦合區域
262e‧‧‧第五EM耦合區域
262f‧‧‧第六EM耦合區域
262g‧‧‧第七EM耦合區域
262h‧‧‧第八EM耦合區域
263a‧‧‧移動
263b‧‧‧移動
263c‧‧‧移動
263d‧‧‧移動
263e‧‧‧移動
263f‧‧‧移動
263g‧‧‧移動
263h‧‧‧移動
264a、264b、264c、264d‧‧‧隔離組件
264e、264f、264g、264h‧‧‧隔離組件
265a‧‧‧第一腔壁
265b‧‧‧第一腔壁
266a‧‧‧第二腔壁
266b‧‧‧第二腔壁
267a‧‧‧第三腔壁
267b‧‧‧第三腔壁
268a‧‧‧第一腔組件
268b‧‧‧第二腔組件
269a‧‧‧第一EM能量調整空間
269b‧‧‧第二EM能量調整空間
270a、270b、270c、270d‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
270e、270f、270g、270h‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
271a‧‧‧第一電漿調整距離
271b‧‧‧第二電漿調整距離
271c‧‧‧第三電漿調整距離
271d‧‧‧第四電漿調整距離
271e‧‧‧第五電漿調整距離
271f‧‧‧第六電漿調整距離
271g‧‧‧第七電漿調整距離
271h‧‧‧第八電漿調整距離
275a、275b、275c、275d‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
275e、275f、275g、275h‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
276a‧‧‧第一EM耦合距離
276b‧‧‧第二EM耦合距離
276c‧‧‧第三EM耦合距離
276d‧‧‧第四EM耦合距離
276e‧‧‧第五EM耦合距離
276f‧‧‧第六EM耦合距離
276g‧‧‧第七EM耦合距離
276h‧‧‧第八EM耦合距離
277a‧‧‧第一EM調整距離
277b‧‧‧第二EM調整距離
277c‧‧‧第三EM調整距離
277d‧‧‧第四EM調整距離
277e‧‧‧第五EM調整距離
277f‧‧‧第六EM調整距離
277g‧‧‧第七EM調整距離
277h‧‧‧第八EM調整距離
290‧‧‧壓力控制系統
291‧‧‧埠
295‧‧‧控制器
296‧‧‧連結
300‧‧‧微波處理系統
305‧‧‧基板
306‧‧‧電漿感測器
307‧‧‧製程感測器
308a、308b‧‧‧腔感測器
310‧‧‧製程腔室
312‧‧‧腔室壁
312a‧‧‧第一介面組件
312b‧‧‧第二介面組件
315‧‧‧製程空間
320‧‧‧基板固持器
340‧‧‧氣體供給系統
341‧‧‧氣體供給次組件
343‧‧‧氣體噴淋頭
345a‧‧‧第一腔控制組件
345b‧‧‧第二腔控制組件
346a‧‧‧第一腔調整板
346b‧‧‧第二腔調整板
347a‧‧‧移動
347b‧‧‧移動
348a‧‧‧腔調整距離
348b‧‧‧腔調整距離
350a‧‧‧第一EM來源
350b‧‧‧第二EM來源
352a‧‧‧第一匹配網路
352b‧‧‧第二匹配網路
354a‧‧‧第一耦合網路
354b‧‧‧第二耦合網路
360a‧‧‧第一控制組件
360b‧‧‧第二控制組件
360c‧‧‧第三控制組件
360d‧‧‧第四控制組件
360e‧‧‧第五控制組件
360f‧‧‧第六控制組件
361a‧‧‧第一電漿調整板
361b‧‧‧第二電漿調整板
361c‧‧‧第三電漿調整板
361d‧‧‧第四電漿調整板
361e‧‧‧第五電漿調整板
361f‧‧‧第六電漿調整板
362a‧‧‧第一EM耦合區域
362b‧‧‧第二EM耦合區域
362c‧‧‧第三EM耦合區域
362d‧‧‧第四EM耦合區域
362e‧‧‧第五EM耦合區域
362f‧‧‧第六EM耦合區域
363f‧‧‧移動
363a‧‧‧移動
363b‧‧‧移動
363c‧‧‧移動
363d‧‧‧移動
363e‧‧‧移動
364a、364b、364c‧‧‧隔離組件
364d、364e、364f‧‧‧隔離組件
365a‧‧‧第一腔壁
365b‧‧‧第一腔壁
366a‧‧‧第二腔壁
366b‧‧‧第二腔壁
367a‧‧‧第三腔壁
367b‧‧‧第三腔壁
368a‧‧‧第一腔組件
368b‧‧‧第二腔組件
369a‧‧‧第一EM能量調整空間
369b‧‧‧第二EM能量調整空間
370a、370b、370c‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
370d、370e、370f‧‧‧電漿調整桿)電漿調整部
371a‧‧‧第一電漿調整距離
371b‧‧‧第二電漿調整距離
371c‧‧‧第三電漿調整距離
371d‧‧‧第四電漿調整距離
371e‧‧‧第五電漿調整距離
371f‧‧‧第六電漿調整距離
375a、375b、375c‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
375d、375e、375f‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
376a‧‧‧第一EM耦合距離
376b‧‧‧第二EM耦合距離
376c‧‧‧第三EM耦合距離
376d‧‧‧第四EM耦合距離
376e‧‧‧第五EM耦合距離
376f‧‧‧第六EM耦合距離
377a‧‧‧第一EM調整距離
377b‧‧‧第二EM調整距離
377c‧‧‧第三EM調整距離
377d‧‧‧第四EM調整距離
377e‧‧‧第五EM調整距離
377f‧‧‧第六EM調整距離
390‧‧‧壓力控制系統
391‧‧‧埠
395‧‧‧控制器
396‧‧‧連結
400‧‧‧微波處理系統
405‧‧‧基板
406‧‧‧電漿感測器
407‧‧‧製程感測器
408a、408b‧‧‧腔感測器
410‧‧‧製程腔室
412‧‧‧腔室壁
412a‧‧‧第一介面組件
412b‧‧‧第二介面組件
415‧‧‧製程空間
420‧‧‧基板固持器
440‧‧‧氣體供給系統
441‧‧‧氣體供給次組件
443‧‧‧氣體噴淋頭
445a‧‧‧第一腔控制組件
445b‧‧‧第二腔控制組件
446a‧‧‧第一腔調整板
446b‧‧‧第二腔調整板
447a‧‧‧移動
447b‧‧‧移動
448a‧‧‧腔調整距離
448b‧‧‧第二腔調整距離
450a‧‧‧第一EM來源
450b‧‧‧第二EM來源
452a‧‧‧第一匹配網路
452b‧‧‧第二匹配網路
454a‧‧‧第一耦合網路
454b‧‧‧第二耦合網路
460a‧‧‧第一控制組件
460b‧‧‧第二控制組件
460c‧‧‧第三控制組件
460d‧‧‧第四控制組件
461a‧‧‧第一電漿調整板
461b‧‧‧第二電漿調整板
461c‧‧‧第三電漿調整板
461d‧‧‧第四電漿調整板
462a‧‧‧第一EM耦合區域
462b‧‧‧第二EM耦合區域
462c‧‧‧第三EM耦合區域
462d‧‧‧第四EM耦合區域
463a‧‧‧移動
463b‧‧‧移動
463c‧‧‧移動
463d‧‧‧移動
464a、464b‧‧‧隔離組件
464c、464d‧‧‧隔離組件
465a‧‧‧第一腔壁
465b‧‧‧第一腔壁
466a‧‧‧第二腔壁
466b‧‧‧第二腔壁
467a‧‧‧第三腔壁
467b‧‧‧第三腔壁
468a‧‧‧第一腔組件
468b‧‧‧第二腔組件
469a‧‧‧第一EM能量調整空間
469b‧‧‧第二EM能量調整空間
470a、470b‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
470c、470d‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
471a‧‧‧第一電漿調整距離
471b‧‧‧第二電漿調整距離
471c‧‧‧第三電漿調整距離
471d‧‧‧第四電漿調整距離
475a、475b‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
475c、475d‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
476a‧‧‧第一EM耦合距離
476b‧‧‧第二EM耦合距離
476c‧‧‧第三EM耦合距離
476d‧‧‧第四EM耦合距離
477a‧‧‧第一EM調整距離
477b‧‧‧第二EM調整距離
477c‧‧‧第三EM調整距離
477d‧‧‧第四EM調整距離
490‧‧‧壓力控制系統
491‧‧‧埠
495‧‧‧控制器
496‧‧‧連結
570a‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
575a‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
570b‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
575b‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
570c‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
575c‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
570d‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
575d‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
670a‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
675a‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
670b‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
675b‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
670c‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
675c‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
670d‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
675d‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
770a‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
775a‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
770b‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
775b‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
770c‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
775c‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
770d‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
775d‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
772a‧‧‧溫度控制迴路
772b‧‧‧溫度控制迴路
772c‧‧‧溫度控制迴路
772d‧‧‧溫度控制迴路
800‧‧‧程序
810‧‧‧步驟
820‧‧‧步驟
830‧‧‧步驟
840‧‧‧步驟
850‧‧‧步驟
860‧‧‧步驟
900‧‧‧電漿處理系統
905‧‧‧基板
906‧‧‧移動
910‧‧‧製程腔室
911a、912a‧‧‧電漿調整桿
911b、912b‧‧‧電漿調整桿
911c、912c‧‧‧電漿調整桿
911d、912d‧‧‧電漿調整桿
911e、912e‧‧‧電漿調整桿
911f、912f‧‧‧電漿調整桿
915‧‧‧製程空間
922‧‧‧腔室壁
922a、922b‧‧‧介面組件
968a、968b、968c、968d、968e、968f‧‧‧腔組件
以例示為目的，現在將參照隨附示意圖式，描述本發明的實施例，其中相同的參考符號表示相同的部件。
圖1A-1C描述根據本發明實施例之第一微波處理系統的不同例示視圖；圖2A-2C描述根據本發明實施例之第二微波處理系統的不同例示視圖；圖3A-3C描述根據本發明實施例之第三微波處理系統的不同例示視圖；圖4A-4C描述根據本發明實施例之第四微波處理系統的不同例示視圖；圖5A-5D顯示根據本發明實施例之例示電漿調整桿的不同視圖；圖6A-6D顯示根據本發明實施例之其他例示電漿調整桿的不同視圖；圖7A-7D顯示根據本發明實施例之例示電漿調整桿的不同視圖；圖8描述根據本發明實施例之例示操作程序的流程圖；及圖9描述根據本發明實施例之電漿處理系統。
100‧‧‧微波處理系統
110‧‧‧製程腔室
112‧‧‧腔室壁
112a‧‧‧第一介面組件
112b‧‧‧第二介面組件
115‧‧‧製程空間
145a‧‧‧第一腔控制組件
145b‧‧‧第二腔控制組件
146a‧‧‧第一腔調整板
146b‧‧‧第二腔調整板
147a‧‧‧移動
147b‧‧‧移動
148a‧‧‧腔調整距離
148b‧‧‧腔調整距離
160a‧‧‧第一控制組件
160b‧‧‧第二控制組件
160c‧‧‧第三控制組件
160d‧‧‧第四控制組件
160e‧‧‧第五控制組件
160f‧‧‧第六控制組件
160g‧‧‧第七控制組件
160h‧‧‧第八控制組件
160i‧‧‧第九控制組件
160j‧‧‧第十控制組件
161a‧‧‧第一電漿調整板
161b‧‧‧第二電漿調整板
161c‧‧‧第三電漿調整板
161d‧‧‧第四電漿調整板
161e‧‧‧第五電漿調整板
161f‧‧‧第六電漿調整板
161g‧‧‧第七電漿調整板
161h‧‧‧第八電漿調整板
161i‧‧‧第九電漿調整板
161j‧‧‧第十電漿調整板
162a‧‧‧第一EM耦合區域
162b‧‧‧第二EM耦合區域
162c‧‧‧第三EM耦合區域
162d‧‧‧第四EM耦合區域
162e‧‧‧第五EM耦合區域
162f‧‧‧第六EM耦合區域
162g‧‧‧第七EM耦合區域
162h‧‧‧第八EM耦合區域
162i‧‧‧第九EM耦合區域
162j‧‧‧第十EM耦合區域
163a‧‧‧移動
163b‧‧‧移動
163c‧‧‧移動
163d‧‧‧移動
163e‧‧‧移動
163f‧‧‧移動
163g‧‧‧移動
163h‧‧‧移動
163i‧‧‧移動
164a、164b、164c、164d、164e‧‧‧隔離組件
165a‧‧‧第一腔壁
165b‧‧‧第一腔壁
166a‧‧‧第二腔壁
166b‧‧‧第二腔壁
167a‧‧‧第三腔壁
167b‧‧‧第三腔壁
168a‧‧‧第一腔組件
168b‧‧‧第二腔組件
169a‧‧‧第一EM能量調整空間
169b‧‧‧第二EM能量調整空間
170a、170b、170c、170d、170e‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
170f、170g、170h、170i、170j‧‧‧(電漿調整桿)電漿調整部
171a‧‧‧第一電漿調整距離
171b‧‧‧第二電漿調整距離
171c‧‧‧第三電漿調整距離
171d‧‧‧第四電漿調整距離
171e‧‧‧第五電漿調整距離
171f‧‧‧第六電漿調整距離
171g‧‧‧第七電漿調整距離
171h‧‧‧第八電漿調整距離
171i‧‧‧第九電漿調整距離
171j‧‧‧第十電漿調整距離
175a、175b、175c、175d、175e‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
175f、175g、175h、175i、175j‧‧‧(電漿調整桿)EM調整部
176a‧‧‧第一EM耦合距離
176b‧‧‧第二EM耦合距離
176c‧‧‧第三EM耦合距離
176d‧‧‧第四EM耦合距離
176e‧‧‧第五EM耦合距離
176f‧‧‧第六EM耦合距離
176g‧‧‧第七EM耦合距離
176h‧‧‧第八EM耦合距離
176i‧‧‧第九EM耦合距離
176j‧‧‧第十EM耦合距離
177a‧‧‧第一EM調整距離
177b‧‧‧第二EM調整距離
177c‧‧‧第三EM調整距離
177d‧‧‧第四EM調整距離
177e‧‧‧第五EM調整距離
177f‧‧‧第六EM調整距離
177g‧‧‧第七EM調整距離
177h‧‧‧第八EM調整距離
177i‧‧‧第九EM調整距離
177j‧‧‧第十EM調整距離

权利要求:
Claims (20)
[1] 一種微波處理系統，用於處理基板，該系統包含：一矩形製程腔室，包含具有一可移動基板固持器於其中的製程空間；一第一腔組件，利用一第一介面組件連結至該矩形製程腔室，該第一腔組件具有一第一電磁(EM)能量調整空間於其中，該第一介面組件包含一第一組隔離組件，其中一第一組EM耦合區域係建立在一第一EM能量調整空間之中；一第一組電漿調整桿，連結至該第一組隔離組件，該第一組電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的一第一組電漿調整部、及一第一組EM調整部，該第一組EM調整部係配置於該第一EM能量調整空間之中且連結至該第一組EM耦合區域其中至少一者；一第二腔組件，利用一第二介面組件連結至該矩形製程腔室，該第二腔組件具有一第二EM能量調整空間於其中，該第二介面組件包含一第二組隔離組件，其中一第二組EM耦合區域係建立在該第二EM能量調整空間之中；一第二組電漿調整桿，連結至該第二組隔離組件，該第二組電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的一第二組電漿調整部、及一第二組EM調整部，該第二組EM調整部係配置於該第二EM能量調整空間之中且連結至該第二組EM耦合區域其中至少一者；及一控制器，連結至該第一腔組件及該第二腔組件，其中該控制器建構成用以控制在該第一EM能量調整空間之中的該第一組EM耦合區域與在該第二EM能量調整空間之中的該第二組EM耦合區域，藉以控制在該製程空間之中的電漿均勻性。
[2] 如申請專利範圍第1項的微波處理系統，更包含：一第一耦合網路，連結至該第一腔組件；一第一匹配網路，連結至該第一耦合網路；一第一EM來源，連結至該第一匹配網路，其中該第一EM來源係建構成操作於自500 MHz到5000 MHz之頻率範圍；其中該控制器係連結至該第一EM來源，且建構成用以控制該第一EM來源，藉此控制在該製程空間之中的電漿均勻性；一第二耦合網路，連結至該第二腔組件；一第二匹配網路，連結至該第二耦合網路；一第二EM來源，連結至該第二匹配網路，其中該第二EM來源建構成操作於自500 MHz到5000 MHz的第二頻率範圍；其中該控制器係連結至該第二EM來源，且建構成用以控制該第二EM來源，藉此控制在該製程空間之中的電漿均勻性。
[3] 如申請專利範圍第1項的微波處理系統，更包含：一第一電漿調整板，配置在該第一EM能量調整空間之中鄰近於該第一EM耦合區域；一第一控制組件，通過一第一腔組件壁連結至該第一電漿調整板，該第一電漿調整板係藉由該第一控制組件而置放於自該第一EM調整部之第一EM耦合距離處；其中該控制器係連結至該第一控制組件且建構成用以控制該第一電漿調整距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性；一第二電漿調整板，配置在該第二EM能量調整空間之中鄰近於該第二EM耦合區域；一第二控制組件，通過一第二腔組件壁連結至該第二電漿調整板，該第二電漿調整板係藉由該第二控制組件而置放於自該第二EM調整部之第二EM耦合距離處；其中該控制器係連結至該第二控制組件且建構成用以控制該第二電漿調整距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[4] 如申請專利範圍第1項的微波處理系統，其中該第一組電漿調整桿、該第一腔組件、該第二組電漿調整桿、及該第二腔組件包含介電材料。
[5] 如申請專利範圍第1項的微波處理系統，更包含：一氣體噴淋頭，連結至該矩形製程腔室；一氣體供給次組件，連結至該氣體噴淋頭；及一氣體供給系統，連結至該氣體供給次組件，其中該氣體噴淋頭係建構成用以將製程氣體導入該製程空間，其中該控制器連結至該氣體供給系統、該氣體供給次組件、及該氣體噴淋頭，且建構成控制該氣體供給系統、該氣體供給次組件、及該氣體噴淋頭，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[6] 如申請專利範圍第5項的微波處理系統，其中該製程氣體包含C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄、CHF₃、CH₂F₂、惰性氣體、氧、CO、及CO₂其中二者以上。
[7] 如申請專利範圍第5項的微波處理系統，其中該製程氣體包含HBr、Cl₂、NF₃、SF₆、CHF₃、CH₂F₂、惰性氣體、氧、CO、及CO₂其中二者以上。
[8] 如申請專利範圍第1項的微波處理系統，更包含：一第一腔調整板，配置在該第一腔組件之中鄰近於該第一EM能量調整空間的第一端；一第一腔控制組件，連結至該第一腔調整板，其中該第一腔調整板係被置放於自該第一腔組件的至少一壁之第一腔調整距離處，其中該控制器係連結至該第一腔控制組件且建構成控制該第一腔調整距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性；一第二腔調整板，配置在該第二腔組件之中鄰近於該第二EM能量調整空間的第一端；及一第二腔控制組件，連結至該第二腔調整板，其中該第二腔調整板係被置放於自該第二腔組件的至少一壁之第二腔調整距離處，其中該控制器係連結至該第二腔控制組件且建構成控制該第二腔調整距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[9] 如申請專利範圍第8項的微波處理系統，其中該第一腔調整板、該第一腔控制組件、該第二腔調整板、及該第二腔控制組件包含介電材料。
[10] 一種微波處理系統，用於處理基板，該系統包含：一製程腔室，包含具有一可移動基板固持器於其中的製程空間；一第一腔組件，利用一第一介面組件連結至該製程腔室，該第一腔組件具有一第一電磁(EM)能量調整空間於其中，該第一介面組件包含一第一隔離組件，其中一第一對EM耦合區域係建立在一第一EM能量調整空間之中；一第一對電漿調整桿，連結至該第一隔離組件，該第一對電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的電漿調整部，且具有配置於該第一EM能量調整空間之中的EM調整部，其中一第一EM調整部係連結至一第一EM耦合區域，且一第二EM調整部係連結至一第二EM耦合區域；一第二腔組件，利用一第二介面組件連結至該製程腔室，該第二腔組件具有一第二EM能量調整空間於其中，該第二介面組件包含一第二隔離組件，其中一第二對EM耦合區域係建立在該第二EM能量調整空間之中；一第二對電漿調整桿，連結至該第二隔離組件，該第二對電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的第二電漿調整部，且具有配置於該第二EM能量調整空間之中的第二EM調整部，其中一第三EM調整部係連結至一第三EM耦合區域，且一第四EM調整部係連結至一第四EM耦合區域；及一控制器，連結至該第一腔組件及該第二腔組件，其中該控制器建構成控制在該第一EM能量調整空間中的該第一對EM耦合區域與在該第二EM能量調整空間中的該第二對EM耦合區域，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[11] 如申請專利範圍第10項的微波處理系統，更包含：一第一耦合網路，連結至該第一腔組件；一第一匹配網路，連結至該第一耦合網路；一第一EM來源，連結至該第一匹配網路，其中該第一EM來源係建構成操作於自500 MHz到5000 MHz之頻率範圍，其中該控制器係連結至該第一EM來源，且建構成控制該第一EM來源，藉此控制在該製程空間之中的電漿均勻性；一第二耦合網路，連結至該第二腔組件；一第二匹配網路，連結至該第二耦合網路；及一第二EM來源，連結至該第二匹配網路，其中該第二EM來源建構成操作於自500 MHz到5000 MHz的第二頻率範圍，其中該控制器係連結至該第二EM來源，且建構成控制該第二EM來源，藉此控制在該製程空間之中的電漿均勻性。
[12] 如申請專利範圍第10項的微波處理系統，更包含：一第一對電漿調整板，配置在該第一EM能量調整空間之中鄰近於該第一EM耦合區域；一第一對控制組件，通過一第一腔組件壁連結至該第一對電漿調整板，一第一電漿調整板係藉由一第一控制組件而被置放於自該第一EM調整部之第一EM耦合距離處；一第二電漿調整板，藉由一第二控制組件而被置放於自該第二EM調整部之第二EM耦合距離處，其中該控制器係連結至該第一控制組件和該第二控制組件，該控制器建構成控制該第一EM耦合距離和該第二EM耦合距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性；一第二對電漿調整板，配置在該第二EM能量調整空間之中鄰近於該第二EM耦合區域；一第二對控制組件，通過一第二腔組件壁連結至該第二對電漿調整板，一第三電漿調整板係藉由一第三控制組件而被置放於自該第三EM調整部之第三EM耦合距離處；及一第四電漿調整板係藉由一第四控制組件而被置放於自該第四EM調整部之第四EM耦合距離處，其中該控制器係連結至該第一控制組件及第二控制組件，且該控制器建構成控制該第三EM耦合距離及該第四EM耦合距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[13] 如申請專利範圍第10項的微波處理系統，更包含：一氣體噴淋頭，連結至該製程腔室；一氣體供給次組件，連結至該氣體噴淋頭；及一氣體供給系統，連結至該氣體供給次組件，其中該氣體噴淋頭係建構成用以將製程氣體導入該製程空間，其中該控制器連結至該氣體供給系統、該氣體供給次組件、及該氣體噴淋頭，且建構成控制該氣體供給系統、該氣體供給次組件、及該氣體噴淋頭，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[14] 一種基板處理方法，利用一微波處理系統處理基板，該方法包含：將一基板置放於在一矩形製程腔室中一製程空間內的一可移動基板固持器之上；利用一第一介面組件將一第一腔組件連結至該矩形製程腔室，該第一腔組件具有一第一EM能量調整空間於其中，該第一介面組件包含一第一組隔離組件，其中一第一組EM耦合區域係建立在該第一EM能量調整空間之中；將一第一組電漿調整桿連結至該第一組隔離組件，該第一組電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的一第一組電漿調整部、及一第一組EM調整部，該第一組EM調整部係配置於該第一EM能量調整空間之中且連結至該第一組EM耦合區域其中至少一者；利用一第二介面組件將一第二腔組件連結至該矩形製程腔室，該第二腔組件具有一第二EM能量調整空間於其中，該第二介面組件包含一第二組隔離組件，其中一第二組EM耦合區域係建立在該第二EM能量調整空間之中；將一第二組電漿調整桿連結至該第二組隔離組件，該第二組電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的一第二組電漿調整部、及一第二組EM調整部，該第二組EM調整部係配置於該第二EM能量調整空間之中且連結至該第二組EM耦合區域其中至少一者；及將一控制器連結至該第一腔組件和該第二腔組件，其中該控制器建構成控制在該第一EM能量調整空間中的該第一組EM耦合耦合區域與在該第二EM能量調整空間的該第二組EM耦合區域，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[15] 如申請專利範圍第14項的基板處理方法，更包含：將一第一耦合網路連結至該第一腔組件；將一第一匹配網路連結至該第一耦合網路；將一第一EM來源連結至該第一匹配網路，其中該第一EM來源係建構成操作於自500 MHz到5000 MHz的頻率範圍，其中該控制器係連結至該第一EM來源，且建構成控制該第一EM來源，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性；將一第二耦合網路連結至該第二腔組件；將一第二匹配網路連結至該第二耦合網路；及將一第二EM來源連結至該第二匹配網路，其中該第二EM來源係建構成操作於自500 MHz到5000 MHz的頻率範圍，其中該控制器係連結至該第二EM來源，且建構成控制該第二EM來源，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[16] 如申請專利範圍第14項的基板處理方法，更包含：利用該第一介面組件，將該第一腔組件連結至該矩形製程腔室，該第一腔組件具有該第一電磁(EM)能量調整空間於其中，該第一介面組件包含該第一組隔離組件，其中該第一組EM耦合區域係建立於該第一EM能量調整空間之中；將該第一組電漿調整桿連結至該第一組隔離組件，該第一組電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的該第一組電漿調整部、及該第一組EM調整部，該第一組EM調整部係配置於該第一EM能量調整空間之中且連結至該第一組EM耦合區域其中至少一者；利用該第二介面組件，將該第二腔組件連結至該矩形製程腔室，該第二腔組件具有該第二EM能量調整空間於其中，該第二介面組件包含該第二組隔離組件，其中該第二組EM耦合區域係建立於該第二EM能量調整空間之中；將該第二組電漿調整桿連結至該第二組隔離組件，該第二組電漿調整桿具有配置於該製程空間之中的該第二組電漿調整部、及該第二組EM調整部，該第二組EM調整部係配置於該第二EM能量調整空間之中且連結至該第二組EM耦合區域其中至少一者；及控制在該第一EM能量調整空間中的該第一組EM耦合耦合區域，且控制在該第二EM能量調整空間中的該第二組EM耦合區域，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性，其中該控制器係連結至該第一腔組件及該第二腔組件。
[17] 如申請專利範圍第14項的基板處理方法，更包含：將一氣體噴淋頭連結至該矩形製程腔室；將一氣體供給次組件連結至該氣體噴淋頭；及將一氣體供給系統連結至該氣體供給次組件，其中該氣體噴淋頭建構成用以將製程氣體導入該製程空間，其中該控制器連結至該氣體供給系統、該氣體供給次組件、及該氣體噴淋頭，且建構成控制該氣體供給系統、該氣體供給次組件、及該氣體噴淋頭，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。
[18] 如申請專利範圍第17項的基板處理方法，其中該製程氣體包含C₄F₈、C₅F₈、C₃F₆、C₄F₆、CF₄、CHF₃、CH₂F₂、惰性氣體、氧、CO、及CO₂其中二者以上。
[19] 如申請專利範圍第17項的基板處理方法，其中該製程氣體包含HBr、Cl₂、NF₃、SF₆、CHF₃、CH₂F₂、惰性氣體、氧、CO、及CO₂其中二者以上。
[20] 如申請專利範圍第14項的基板處理方法，更包含：配置一第一腔調整板在該第一腔組件之中鄰近於該第一EM能量調整空間的第一端；將一第一腔控制組件連結至該第一腔調整板，其中該第一腔調整板係被置放於自該第一腔組件的至少一壁之第一腔調整距離處，其中該控制器係連結至該第一腔控制組件且建構成控制該第一腔調整距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性；配置一第二腔調整板在該第二腔組件之中鄰近於該第二EM能量調整空間的第二端；及將一第二腔控制組件連結至該第二腔調整板，其中該第二腔調整板係被置放於自該第二腔組件的至少一壁之第二腔調整距離處，其中該控制器係連結至該第二腔控制組件且建構成控制該第二腔調整距離，藉以控制在該製程空間中的電漿均勻性。

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法律状态:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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